GaN基异质结构的光学偏振问题及其控制

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60676032
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    32.0万
  • 负责人：
    于彤军
  • 依托单位：
    北京大学
  • 学科分类：
    F0403.半导体光电子器件与集成
  • 结题年份：
    2009
  • 批准年份：
    2006
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2007-01-01 至2009-12-31

项目摘要

GaN基发光器件在固态照明光源、液晶显示背光源及光调制器中有良好的应用前景，提高发光效率和光导出效率、制备偏振控制发光器件的研究，是具有重要应用意义的发光材料和器件物理研究。本项目通过对AlInGaN、InGaN、AlGaN异质结和多量子阱结构的荧光偏振特性的研究，分析AlInGaN、InGaN、AlGaN能带结构和偏振选择发光跃迁过程，明确GaN基异质结构中影响偏振选择发光跃迁过程及光学偏振特性的主要因素和作用机制，明确不同偏振态的光在晶体中传播规律和衰减规律，尝试通过发光器件的结构设计和出光面结构设计，实施偏振发光和传播控制，为提高光导出效率和制备高度偏振的GaN基发光器件提供基础。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（31）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（6）
专利数量（4）
Influence of growth rate on structural and optical properties of AlInGaN quaternary epilayers
生长速率对AlInGaN四元外延层结构和光学性能的影响
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2006.10.150
  • 发表时间：
    2007
  • 期刊：
    Journal of crystal grwoth
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Yang, Zhijian;Hu, Xiaodong;Yao, Shude;Pan, Yaobo;Wang, Kun;Qin, Zhixin;Zhang, Guoyi;Yu, Tongjun;Wang, Huan
  • 通讯作者：
    Wang, Huan
Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes
铟对 InGaN/GaN MQW 发光二极管偏振电致发光的影响
  • DOI：
    10.1088/0256-307x/26/8/087802
  • 发表时间：
    2009-08
  • 期刊：
    Chinese Physics Letters
  • 影响因子：
    3.5
  • 作者：
    Zhang Guo-Yi;Tao Ren-Chun;Wang Zhan-Guo;Jia Chuan-Yu;Ruan Jun;Yu Tong-Jun
  • 通讯作者：
    Yu Tong-Jun
Effects of V/III ratio on species diffusion anisotropy in the MOCVD growth of non-polar a-plane GaN films
非极性a面GaN薄膜MOCVD生长中V/III比对物质扩散各向异性的影响
  • DOI：
    10.1088/1674-1056/19/1/018101
  • 发表时间：
    2010
  • 期刊：
    Chinese Physics B
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Zhao Lu-Bing;Yu Tongjun;Zhijian Yang;Guoyi Zhang;Tao Dai;Wu Jie-Jun
  • 通讯作者：
    Wu Jie-Jun
The origins of double emission peaks in electroluminescence spectrum from InGaN/GaN MQW LED
InGaN/GaN MQW LED 电致发光光谱双发射峰的起源
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2006.10.167
  • 发表时间：
    2007-01-01
  • 期刊：
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    Chen, Z. Z.;Liu, P.;Zhang, G. Y.
  • 通讯作者：
    Zhang, G. Y.
Anisotropic defect reduction in non-polar a-plane GaN grown by hydride vapor phase epitaxy on maskless patterned templates
无掩模图案模板上氢化物气相外延生长的非极性 a 面 GaN 各向异性缺陷减少
  • DOI：
    10.1016/j.apsusc.2009.09.082
  • 发表时间：
    2010-01
  • 期刊：
    Applied Surface Science
  • 影响因子：
    6.7
  • 作者：
    Lubing Zhao;Tao Dai;Jiejun Wu;Tongjun Yu
  • 通讯作者：
    Tongjun Yu

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其他文献

InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    《半导体学报》, 2007年 07期??，1121
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    陈志忠;徐科;秦志新;于彤军
  • 通讯作者：
    于彤军
GaN基紫光LED的可靠性研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    《材料研究学报》, 2006年 02期??，153
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    商树萍;于彤军;陈志忠
  • 通讯作者：
    陈志忠
InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管老化过程中的光谱特性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    光谱学与光谱分析
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    于彤军;李兴斌;袁刚成;路慧敏
  • 通讯作者：
    路慧敏

其他文献

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于彤军的其他基金

高透过率大尺寸氮化铝单晶衬底制备
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    62234003
  • 批准年份：
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    283 万元
  • 项目类别：
    重点项目
AlGaN基深紫外LED光出射机制及其调控方法研究
  • 批准号：
    61774008
  • 批准年份：
    2017
  • 资助金额：
    63.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
GaN纳米异质外延生长及其在发光器件中的应用
  • 批准号：
    61376012
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    2010
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    面上项目
InGaAlN四元系材料生长及其短波长发光机理研究
  • 批准号：
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  • 批准年份：
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  • 资助金额：
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  • 项目类别：
    面上项目

相似国自然基金

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相似海外基金

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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