影响GaAs微探尖阵列选择外延生长质量的关键技术研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60777009
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:35.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0501.光学信息获取、显示与处理
- 结题年份:2010
- 批准年份:2007
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2008-01-01 至2010-12-31
- 项目参与者:张贺秋; 梁秀萍; 骆英民; 赵宇; 张红治; 孙晓娟; 田怡春; 朱锦霞;
- 关键词:
项目摘要
针对于06年底结题的基金项目中存在的主要问题,重点研究影响用于超高密度近场光存储的大面积均匀、尖顶尺寸小、重复性好的GaAs微探尖阵列选择生长质量的关键技术。包括以下几方面:1)改善选择液相外延生长GaAs微探尖表面质量的生长液脱片方法。解决金字塔状微探尖表面生长液残留问题;2)提高GaAs微探尖阵列制备重复性的过冷度精确控制方法。解决由配液物质称量不够准确或多晶GaAs源装炉前的化学处理损耗量存在差异带来的不同炉次样品生长时的过冷度不一致、从而重复性不够好问题;3)减小GaAs微探尖尖顶曲率半径的尖顶尺寸控制方法及其机理。解决由光刻和氧化物腐蚀工艺引起的尖顶尺寸较大问题;4)提高GaAs微探尖阵列大面积均匀性的优化工艺。解决由氧化物掩膜制备方法不够合适和外延生长条件不够优化造成的均匀性不够好问题。为实现由GaAs微探尖和VCSEL构造的单片集成式SNOM传感器走向实际应用打下良好基础。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(1)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Transferring of GaAs microtips using selective wet etching Al0.7Ga0.3As sacrificial layer
使用选择性湿法蚀刻 Al0.7Ga0.3As 牺牲层转移 GaAs 微尖端
- DOI:10.1016/j.mee.2007.11.002
- 发表时间:2008-07
- 期刊:Microelectronic Engineering
- 影响因子:2.3
- 作者:Hu, Lizhong;Tian, Yichun;Zhang, Hongzhi;Zhang, Heqiu;Sun, Xiaojuan;Pan, Shi;Liang, Xiuping
- 通讯作者:Liang, Xiuping
Observation of the morphological evolution of GaAs pyramidal microtips grown by selective liquid-phase epitaxy
选择性液相外延生长GaAs金字塔形微尖形态演化的观察
- DOI:10.1016/j.jcrysgro.2008.05.031
- 发表时间:2008-08
- 期刊:Journal of Crystal Growth
- 影响因子:1.8
- 作者:Liang Xiuping;Tian Yichun;Zhang Hongzhi;Zhang Heqiu;Hu Lizhong
- 通讯作者:Hu Lizhong
Effects of growth atmosphere and homo-buffer layer on properties of ZnO films prepared on Si(111) by PLD
生长气氛和同质缓冲层对Si(111)上PLD制备ZnO薄膜性能的影响
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Vacuum
- 影响因子:4
- 作者:Zhao, Jie;Hu, Lizhong;Wang, Weiwei;Gong, Ailing;Liu, Weifeng
- 通讯作者:Liu, Weifeng
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其他文献
热氧化法制备ZnO 薄膜及其特性研
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:电子元件与材料,24(3),40-43,2005-03
- 影响因子:--
- 作者:赵 杰;胡礼中;王兆阳;王志俊
- 通讯作者:王志俊
脉冲激光沉积方法制备ZnO 薄膜生
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:光学学报,25(10), 371-1374,2005-10(EI)
- 影响因子:--
- 作者:王兆阳;胡礼中;赵 杰;孙捷
- 通讯作者:孙捷
其他文献
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