用于超高密度光存储的集成式SNOM微探尖的选择生长研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60377005
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:25.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0501.光学信息获取、显示与处理
- 结题年份:2006
- 批准年份:2003
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2004-01-01 至2006-12-31
- 项目参与者:赵宇; 刘琨; 孙捷; 王兆阳; 赵杰; 梁秀萍; 张红治;
- 关键词:
项目摘要
超高密度光存储是SNOM应用的一个重要发展方向,低成本大批量制造高可靠性集成式SNOM传感器微探尖是使这种技术走向市场需要解决的关键问题之一。本项目提出并采用一种新的选择生长技术来解决这个问题。主要研究内容为:通过氧化物掩膜选择生长方法,模拟VCSEL结构表面环境,利用常规LPE手段,在GaAs衬底上制备与VCSEL制作工艺相容、重复性好的GaAs或AlGaAs微探尖阵列,并初步实现微探尖与VCSEL混合集成单元在近场高密度光存储或物体表面精细结构成像中的演示实验,为进一步在MOCVD系统或LPE与MOCVD混合生长系统上实现单片集成SNOM传感器打下良好基础。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(17)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(3)
专利数量(0)
热氧化法制备ZnO 薄膜及其特性研
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:电子元件与材料,24(3),40-43,2005-03
- 影响因子:--
- 作者:赵 杰;胡礼中;王兆阳;王志俊
- 通讯作者:王志俊
选择液相外延法制备GaAs SNOM微
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体学报,26(6),1178-1181,2005-06(EI)
- 影响因子:--
- 作者:张红治,胡礼中,孙晓娟;王志俊
- 通讯作者:王志俊
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其他文献
自催化脉冲激光沉积方法制备ZnO纳米棒阵列
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:中国科学(G辑:物理学 力学 天文学)
- 影响因子:--
- 作者:乔双双;李娇;张贺秋;胡昊;胡礼中;于东麒;林颂恩;陈希;付强
- 通讯作者:付强
GaAs微尖阵列的制备与场发射性能
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:发光学报
- 影响因子:--
- 作者:蒋红;胡礼中;宋航;李志明;缪国庆;黎大兵;孙晓娟
- 通讯作者:孙晓娟
其他文献
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- 批准号:60777009
- 批准年份:2007
- 资助金额:35.0 万元
- 项目类别:面上项目
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