纳米结量子输运问题的理论研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60576057
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:21.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:2008
- 批准年份:2005
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2006-01-01 至2008-12-31
- 项目参与者:程海萍; 赵坚; 王秦镜; 洪峰;
- 关键词:
项目摘要
电子器件的持续微型化已经接近物理极限,下一代将是分子电子器件。除了组装和集成技术外,其应用关键是了解分子结构及其与电极的接触等对输运的影响。实验发现,器件中同一分子不同的电极可能导致几个量极的电导差异。这种差异究竟在多大程度上与界面结构、成键质量等等有关,我们将作深入研究。一般该领域采用的非平衡态格林函数(NEGF)方法,由于电荷需较大范围地转移以屏蔽偏压电场,导致电子自洽计算对计算机极高的要求,因此,目前只有十几个原子以下尺度的分子器件NEGF模拟计算。对此困难,我们将采用加外电场的薄片模型传统能带方法,模拟偏压电场,得到结区域的屏蔽电荷分布,以此作为NEGF的初始电子分布,只需一次或几次自洽迭代,大大减少计算量,从而可对较大的分子电子器件进行模拟。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Low Photoemission Intensity near EF Induced by the Surface Relaxed Structure of CrO2(001)
CrO2(001) 表面弛豫结构导致 EF 附近的低光电发射强度
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Effects of an electric field on a water bilayer on Ag(111)
电场对 Ag(111) 水双层的影响
- DOI:10.1103/physrevb.75.085435
- 发表时间:2007-02
- 期刊:Physical Review B
- 影响因子:3.7
- 作者:
- 通讯作者:
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其他文献
Dependence of silicon oxidation channel on distribution of surface electrons at initial stage of oxide growth on Si(001)
Si(001)氧化物生长初期硅氧化通道对表面电子分布的依赖性
- DOI:10.1063/1.4825366
- 发表时间:2013-10
- 期刊:Applied Physics Letters
- 影响因子:4
- 作者:韩晗;车静光
- 通讯作者:车静光
其他文献
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