半导体表面活性剂理论研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:69776001
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:10.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2000
- 批准年份:1997
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1998-01-01 至2000-12-31
- 项目参与者:张开明; 杨中芹;
- 关键词:
项目摘要
表面应力是决定表面结构的重要因素,发展了基于格林函数的半经验方法计算表面应力的方法,研究了As和Sb作为表面活性剂在Si(001)表面生长过程中的作用和影响。研究发现:由于As和Sb的原子半径的差异,这两种表面活性剂在Si(001)表面引起的表面应力有较大的差异。Sb在Si(001)表面会导致较大的表面应力各向异性,而太大的表面应力各向异性必定导致较大的表面结构变化,即引起antiphasedomain boundaries(APBs)。我们的研究解释了Sb/Si(001)表面不存在2x1的有序结构的原因,并预言在这种APBs附近容易生长量子线和量子点。
结项摘要
项目成果
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