多孔low-k薄膜材料的新型表征技术
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60606011
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:30.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0406.集成电路器件、制造与封装
- 结题年份:2009
- 批准年份:2006
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2007-01-01 至2009-12-31
- 项目参与者:于润升; 战明川; 张彩霞; 张兰芝; 王平; 秦秀波; 王丹妮; 程峰; 张辉;
- 关键词:
项目摘要
随着集成电路芯片中的导线密度不断增加,导线宽度和间距不断减小,导致集成片的电阻和电容增大,寄生效应越来越明显,进而成为制约芯片性能的技术因素。采用低介电常数(low-k)材料替代传统二氧化硅绝缘材料已逐渐成为发展集成电路工艺的主要选择。多孔材料在降低材料的介电常数方面有明显的优势,因而多孔low-k薄膜材料中孔的结构特性的研究,是发展下一代超大规模集成电路的基础应用技术。但目前用于多孔薄膜材料的孔结构特性的表征手段非常欠缺。慢正电子束流技术是近年来发展起来的一种新型的微观核探针技术,在表征微缺陷结构方面有其独特性。因此,结合慢正电子束流技术,发展一种全新地薄膜材料孔结构特性的分析测量手段,对于研究low-k材料孔结构特性,优化集成工艺具有指导意义和应用价值。本项目将结合北京慢正电子束流装置,利用正电子在材料中的湮没信息,在薄膜材料孔结构特性的研究中展现新的应用领域。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Development and application of the intense slow positron beam at IHEP.
高能物理所强慢速正电子束的研制与应用
- DOI:--
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- 期刊:
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- 作者:
- 通讯作者:
Depth-dependent positronium formation in γ-irradiated polymers after 30-month aging.
30 个月老化后,γ 辐照聚合物中的深度依赖性正电子素形成。
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Migration behavior of vacancies in electron irradiated Fe-Cu alloys
电子辐照Fe-Cu合金中空位的迁移行为
- DOI:10.1002/pssc.200982131
- 发表时间:--
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- 作者:
- 通讯作者:
Performance of the Beijing pulsed variable-energy positron beam
北京脉冲变能正电子束性能
- DOI:10.1016/j.apsusc.2008.05.183
- 发表时间:--
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- 作者:
- 通讯作者:
Microstructure evolution of Ge+ implanted silicon oxide thin films upon annealing treatments
退火处理后Ge注入氧化硅薄膜的微观结构演变
- DOI:10.1016/j.nimb.2009.06.028
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi || "--"}}
- 发表时间:{{ item.publish_year || "--" }}
- 期刊:{{ item.journal_name }}
- 影响因子:{{ item.factor || "--"}}
- 作者:{{ item.authors }}
- 通讯作者:{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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- 影响因子:--
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其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi || "--" }}
- 发表时间:{{ item.publish_year || "--"}}
- 期刊:{{ item.journal_name }}
- 影响因子:{{ item.factor || "--" }}
- 作者:{{ item.authors }}
- 通讯作者:{{ item.author }}
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{{ item.name }}
- 批准号:{{ item.ratify_no }}
- 批准年份:{{ item.approval_year }}
- 资助金额:{{ item.support_num }}
- 项目类别:{{ item.project_type }}
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{{
item.name }}
{{ item.translate_name }}
- 批准号:{{ item.ratify_no }}
- 财政年份:{{ item.approval_year }}
- 资助金额:{{ item.support_num }}
- 项目类别:{{ item.project_type }}