SnO2-CuO基微/纳异质结构阵列气敏特性研究

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基本信息

  • 批准号：
    90923032
  • 项目类别：
    重大研究计划
  • 资助金额：
    50.0万
  • 负责人：
    张明喆
  • 依托单位：
    吉林大学
  • 学科分类：
    F0401.半导体材料
  • 结题年份：
    2012
  • 批准年份：
    2009
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2010-01-01 至2012-12-31

项目摘要

SnO2和CuO纳米气敏传感器，具有较好的灵敏度和选择性、良好的响应和恢复时间以及较长的使用寿命,是各种有毒有害气体、可燃气体、工业废气和环境污染等气体的检测等方面的理想材料。本项目采用准二维电沉积生长方法，通过电沉积制备掺杂金属的SnO2和CuO氧化物纳米聚集单元，并将聚集单元组装成多组分排列的准一维异质SnO2-CuO基p-n结构阵列；结合晶体生长理论、电化学反应理论和统计热力学理论，从物质传输、输运反应和成核生长方面，系统研究其微观生长机理；获得SnO2-CuO基p-n纳米异质结阵列的可控和有序化制备技术。总结出可调控的半导体纳米结构的电学和气敏特性，探讨出该纳米结构体系耦合与协同效应的物理根源，发展相关理论，为制备新型功能材料提供重要的实验和理论依据。

结项摘要

电子以共振隧穿的形式在其中输运的异质结微纳阵列的应用，是物理学面临的重要挑战。我们构筑了具有严格周期排列的氧化亚铜/二氧化锡准二维PN异质结微纳阵列的多势垒体系，电子以共振隧穿的形式在其中输运。这种多势垒体系材料是利用电化学沉积方法在准二维超薄液层中制备的。在无模板衬底上，利用系统中氧化亚铜/二氧化锡具有不同的沉积电极电势，精确控制外加电势半正玄与沉积物的生长电极电势，可分别控制聚集物的组成成分与有序结构。这种氧化亚铜/二氧化锡准二维PN异质结微纳阵列隧穿体系的材料实现了隧穿调制在气敏方面的应用突破，实现了室温气敏特性。未了进一步增强这种材料的气敏性，我们引进了激光照射。激光照射不仅可以增加异质结阵列的导电性，也可以降低表面吸附能，这些有助与对室温气敏性的测量。这种异质结材料为我们提供了室温气敏材料设计的新方向。

项目成果

期刊论文数量（12）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
PbTe/Pb quasi-one-dimensional nanostructure material: controllable array synthesis and side branch formation by electrochemical deposition
PbTe/Pb准一维纳米结构材料：电化学沉积的可控阵列合成和侧枝形成
  • DOI：
    10.1088/0957-4484/21/18/185302
  • 发表时间：
    2010-05
  • 期刊：
    Nanotechnology
  • 影响因子：
    3.5
  • 作者：
    Zong Zhaocun;Liu Jinying;Hu Tingting;Li Dongdonng;Tian Huifang;Liu Chang;Zhang Mingzhe;Zou Guangtian
  • 通讯作者：
    Zou Guangtian
Electrodeposition of Ni micro/nano-structures
镍微/纳米结构的电沉积
  • DOI：
    10.1007/s11434-011-4766-7
  • 发表时间：
    2011-11
  • 期刊：
    Chinese Science Bulletin
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Niu Lianping;Ye D;an;Li Feng;Zhang Mingzhe
  • 通讯作者：
    Zhang Mingzhe
Effects of doping on the surface energies of nanocrystals and evidence from studies at high pressure
掺杂对纳米晶体表面能的影响和高压研究的证据
  • DOI：
    10.1016/j.ssc.2011.02.004
  • 发表时间：
    2011-04
  • 期刊：
    Solid State Communications
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    Zong Zhaocun;Ma Yanmei;Hu Tingting;Cui Guangliang;Cui Qiliang;Zhang Mingzhe;Zou Guangtian
  • 通讯作者：
    Zou Guangtian
Phase transition of ZnxMn1-xS dilute magnetic semiconductor nanoparticles under ultra-high
超高强度下ZnxMn1-xS稀磁半导体纳米粒子的相变
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Phys. Status Solidi C
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Zong Zhaocun;Ma Yanmei;Hui Tingting;Cui Qiliang;Zhang Mingzhe;Zou Guangtian
  • 通讯作者：
    Zou Guangtian
CdS:Co diluted magnetic semiconductor nanocrystals: synthesis and ferromagnetism study
CdS:Co稀磁半导体纳米晶：合成和铁磁性研究
  • DOI：
    10.1039/c1ce05593c
  • 发表时间：
    2011-09
  • 期刊：
    CrystEngComm
  • 影响因子：
    3.1
  • 作者：
    Hu Tingting;Zhang Mingzhe;Wang Sidong;Shi Qunji;Cui Guangliang;Sun Shishuai
  • 通讯作者：
    Sun Shishuai

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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    祁玉琼;张明喆;吴海彬;叶笑春
  • 通讯作者：
    叶笑春

其他文献

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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