ZnO基稀磁半导体单晶薄膜以及稀磁/非磁/稀磁三明治结构的制备与物性研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60476044
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:26.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:2007
- 批准年份:2004
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2005-01-01 至2007-12-31
- 项目参与者:英敏菊; 张青哲; 曾兆权; 郑浩; 袁洪涛; 梅增霞;
- 关键词:
项目摘要
采用我们已掌握的射频等离子体辅助分子束外延制备高质量ZnO单晶薄膜的技术,在n型及弱p型ZnO薄膜中探索高纯磁性元素(Mn、Co、Fe、Ni、Ti、Cu、V、Cr等)单元素掺杂或二元素共同掺杂的优化工艺,实现居里温度高于室温的稳定的ZnO基稀磁半导体单晶薄膜的可控生长。在这此基础上,制备ZnO:M/(Mg,Zn)O/ZnO:M三明治结构(其中M 为磁性元素),并利用表面磁光克尔效应测试仪、超导量子干涉仪以及自旋极化扫描隧道显微镜等专用设备研究ZnO:M磁性形成机理、薄膜厚度及掺杂浓度对磁性的影响;研究三明治结构的表面、界面特性及其与自旋输运的关系,深刻理解在半导体中的自旋相关散射以及磁阻隧穿等现象。三明治结构是目前磁敏器件与信息存储器件的基元,因此室温稀磁半导体薄膜以及三明治结构的制备与物性研究是自旋电子学的核心内容之一,本项目具有重要的科学价值和重大潜在应用前景。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(22)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(4)
专利数量(0)
Controlled growth of Zn-polar
Zn-极性的受控生长
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:Z. X. Mei, X. L. Du*, Y. Wang,
- 通讯作者:Z. X. Mei, X. L. Du*, Y. Wang,
ZnO ultraviolet photodiodes wi
ZnO紫外光电二极管
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:S.J. Young, L.W. Ji, T.H. Fang
- 通讯作者:S.J. Young, L.W. Ji, T.H. Fang
Structure stability of epitaxi
外延结构稳定性
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:H.D. Li, X.N. Zhang, Z. Zhang*
- 通讯作者:H.D. Li, X.N. Zhang, Z. Zhang*
ZnO Metal-Semiconductor-Metal
ZnO金属-半导体-金属
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:S. J. Young, L. W. Ji, S. J. C
- 通讯作者:S. J. Young, L. W. Ji, S. J. C
Surface modification of MgAl2O
MgAl2O的表面改性
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:Z. Q. Zeng, Y. Z. Liu, X. L. D
- 通讯作者:Z. Q. Zeng, Y. Z. Liu, X. L. D
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