高迁移率ZnO基透明薄膜晶体管研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60676003
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:27.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2009
- 批准年份:2006
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2007-01-01 至2009-12-31
- 项目参与者:吴剑钟; 徐天宁; 斯剑霄; 王擎雷; 金国芬; 夏明龙;
- 关键词:
项目摘要
薄膜晶体管(TFT)占有硅芯片技术的第二大市场,在平板显示、打印机、复印机和摄像机等中具有重要的应用,目前的TFT 产品都采用非晶Si或多晶Si技术,对可见光吸收、电子迁移率低是Si基TFT的明显缺点。本项目提出了用六方相ZnO基纳米薄膜和立方相ZnMgO纳米薄膜构建对可见光透明的TFT,通过深入研究器件结构参数、ZnO基纳米薄膜材料的低温生长机理及其微结构与电学特性的关联等科学问题,实现高电子迁移率的透明TFT器件。探索在柔性塑料衬底上研制透明薄膜晶体管和采用具有室温铁磁性的ZnCoO纳米薄膜做沟道实现磁场和电场控制的薄膜晶体管。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(20)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Fabrication of ZnO nanoneedle/nanocolumn composite films and annealing induced improvement in their microstructural and photoluminescence characteristics
ZnO纳米针/纳米柱复合薄膜的制备和退火改善了其微观结构和光致发光特性
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:材料科学技术(英文版)
- 影响因子:--
- 作者:Yu, Ping;Wu, Huizhen;Jiang, Yintu;Qiu, Dongjiang
- 通讯作者:Qiu, Dongjiang
Observation of phonon modes in epitaxial PbTe films grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长的外延 PbTe 薄膜中声子模式的观察
- DOI:10.1063/1.2714682
- 发表时间:2007-05
- 期刊:Journal of Applied Physics
- 影响因子:3.2
- 作者:
- 通讯作者:
Optical properties of Pb1-xMnxSe thin films
Pb1-xMnxSe 薄膜的光学特性
- DOI:--
- 发表时间:2007
- 期刊:物理学报
- 影响因子:--
- 作者:Lao Yan-Feng;Wu Hui-Zhen;Xie Zheng-Sheng;Xu Tian-Ning;Xia Ming-Long;Wang Qing-Lei;Si Jian-Xiao
- 通讯作者:Si Jian-Xiao
Study on micro-structural properties of PbTe/Cd0.98Zn0.02Te (111) hetero-system grown by molecular-beam epitaxy
分子束外延生长PbTe/Cd0.98Zn0.02Te(111)异质体系的微观结构特性研究
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:无机材料学报
- 影响因子:--
- 作者:Wu Hui-Zhen;Wang Qing-Lei;Dai Ning;Xia Ming-Long;Si Jian-Xiao;Lu Ye-Qing;Fang Wei-Zheng;Xu Tian-Ning
- 通讯作者:Xu Tian-Ning
PbTe/CdTe量子点的光学增益
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Acta Physica Sinica,57(4), 589-596?(2008),
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
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其他文献
Enhancement of optical absorption of exciton in an AlxGa1-x/AlyGa1-yAs micro cavity
AlxGa1-x/AlyGa1-yAs 微腔中激子光吸收的增强
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Optics Communications,
- 影响因子:--
- 作者:吴惠桢
- 通讯作者:吴惠桢
Optical characterization of GaAs/AlGaAs vertical cavity surface-emitting quantum well laser structure grown by MOVPE
MOVPE 生长的 GaAs/AlGaAs 垂直腔面发射量子阱激光器结构的光学表征
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Optic & Laser Technology,
- 影响因子:--
- 作者:吴惠桢
- 通讯作者:吴惠桢
GaAs/AlGaAs多量子阱结构的热电子效应
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:纸外与毫米波学报
- 影响因子:--
- 作者:吴惠桢
- 通讯作者:吴惠桢
Electrical and structural characterization of Carbhon-doped GaAs grown by MOVPE
MOVPE 生长的碳掺杂 GaAs 的电学和结构表征
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Journal of Crystal Growth,
- 影响因子:--
- 作者:吴惠桢
- 通讯作者:吴惠桢
Exciton properties of diluted CdTe/CdMnTe quantum wells
稀释 CdTe/CdMnTe 量子阱的激子特性
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Chinese Physics Letters,
- 影响因子:--
- 作者:吴惠桢
- 通讯作者:吴惠桢
其他文献
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