Ge和SiGe量子点的生长、结构表征及发光特性研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:69776010
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:11.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:2000
- 批准年份:1997
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1998-01-01 至2000-12-31
- 项目参与者:胡冬枝; 朱海军; 秦捷; 裴成文;
- 关键词:
项目摘要
在适当的临界生长条件下得到均匀性很好的Ge量子点,其尺寸均匀性为±3%,为至今国际上报道的最好值。在国内首次开展掠入射X线衍射实验,并利用北京同步辐射光源测量了Si(001)衬底上自组织生长量子点的组分和应变,发现形成的量子点为Ge组分为0.55并且约50%应变驰豫的合金量子点。此外,在掠入射衍射时首次在Si(220)衬底峰的高角处观察到一个峰,对应于生长平面方向上-0.8%的晶格压缩,为量子点形成时在量子点周围硅的近表面区(≤100A)张起的压变区的衍射所致。实验上直接证实成岛生长时将在硅中引入应变,畸变的硅初底(张应变区)反过来部分驰豫量子点中的应变。利用TEM观察也发现有大量的衬底硅原子迁移到量子点中,指出除了成岛和失配位错的形成,合金化为失配应变驰豫的另一途径,对经典的S-K生长模型提出了新的看法。
结项摘要
项目成果
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