在硅衬底上Er2O3、Tm2O3高k介质材料的外延生长和物理特性研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    10874026
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    36.0万
  • 负责人：
    蒋最敏
  • 依托单位：
    复旦大学
  • 学科分类：
    A2011.表面界面与低维物理
  • 结题年份：
    2011
  • 批准年份：
    2008
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2009-01-01 至2011-12-31

项目摘要

高k（介电常数）介质材料在硅集成电路工艺和微电子学中有着重要的应用前景，是目前凝聚态物理与材料物理研究的热点之一。本项目提出Er2O3、Tm2O3高k 介质材料在Si 衬底上的外延生长及其异质外延生长机制和物理特性的研究。进一步探索材料异质外延生长的条件与普遍规律，特别是异质外延生长时不同表面状态对外延生长的影响，应变作用及其弛豫机制。弄清楚材料生长过程与工艺、微结构和物理特性三者之间的关系与规律。制备出等效氧化层厚度（equivalent oxide thickness, EOT）小于1nm，且有良好物理性质的高k薄膜材料。因此本项目无论从基础研究的角度还是从应用研究的角度都有意义。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（9）
专利数量（0）
Thermally oxidized formation of new Ge dots over as-grown Ge dots in the Si capping layer
在 Si 覆盖层中生长的 Ge 点上热氧化形成新的 Ge 点
  • DOI：
    10.1063/1.3665398
  • 发表时间：
    2011-12
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Jiang, Zui-Min;Shao, Yuan-Min;Nie, Tian-Xiao;Yang, Xin-Ju;Zou, Jin;Lin, Jin-Hui;Fan, Yong-Liang;Chen, Zhi-Gang;Wu, Yue-Qin
  • 通讯作者：
    Wu, Yue-Qin
Influencing factors on the size uniformity of self-assembled SiGe quantum rings grown by molecular beam epitaxy
分子束外延自组装SiGe量子环尺寸均匀性的影响因素
  • DOI：
    10.1088/0957-4484/22/12/125601
  • 发表时间：
    2011-03-25
  • 期刊：
    NANOTECHNOLOGY
  • 影响因子：
    3.5
  • 作者：
    Cui, J.;Lv, Y.;Jiang, Z. M.
  • 通讯作者：
    Jiang, Z. M.
Hole transport in one-dimensional aligned GeSi quantum dots at low temperatures
低温下一维排列的GeSi量子点的空穴传输
  • DOI：
    10.1088/0022-3727/42/20/205302
  • 发表时间：
    2009-09
  • 期刊：
    Journal of Physics D-Applied Physics
  • 影响因子：
    3.4
  • 作者：
    Fan, Y. L.;Zhang, H. Y.;Jiang, Z. M.;Zhang, B.;Lu, F.;Zhong, Z. Y.;Yuan, H.
  • 通讯作者：
    Yuan, H.
Temperature effects on the growth and electrical properties of Er2O3 films on Ge substrates
温度对 Ge 基底上 Er2O3 薄膜的生长和电性能的影响
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Thin solid Films
  • 影响因子：
    2.1
  • 作者：
    Z. B. Fang et al.;J. Cui;Z. M. Jiang;T. X. Nie;T. Ji
  • 通讯作者：
    T. Ji

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其他文献

平面型钙钛矿太阳能电池温度相关的光伏性能时间响应特性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    物理学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    吴杨琳;马忠权;洪峰;蒋最敏
  • 通讯作者：
    蒋最敏
Dislocation-related photoluminescence of GeSn films grown on Ge (001) substrates by molecular beam epitaxy
通过分子束外延在 Ge (001) 衬底上生长的 GeSn 薄膜的位错相关光致发光
  • DOI：
    10.1088/1361-6641/aaed82
  • 发表时间：
    2018-11
  • 期刊：
    Semiconductor Science and Technology
  • 影响因子：
    1.9
  • 作者：
    刘桃;王利明;祝广健;胡小锋;董祚汝;钟振扬;贾全杰;杨新菊;蒋最敏
  • 通讯作者：
    蒋最敏
混合型碘系钙钛矿薄膜变温光致发光特性的研究
  • DOI：
    10.7498/aps.68.20191238
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    物理学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    蒋泵;陈思良;崔晓磊;胡紫婷;李跃;张笑铮;吴康敬;王文贞;蒋最敏;洪峰;马忠权;赵磊;徐飞;徐闰;詹义强
  • 通讯作者：
    詹义强

其他文献

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石墨烯/掺Er氧化锌复合结构中Er3+光致发光增强机制研究
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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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