SiGe/Si等平面化真空微电子雪崩击穿电子发射器件研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    69676037
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    9.0万
  • 负责人：
    朱大中
  • 依托单位：
    浙江大学
  • 学科分类：
    F0404.半导体电子器件与集成
  • 结题年份：
    1999
  • 批准年份：
    1996
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    1997-01-01 至1999-12-31

项目摘要

本项目研究并设计了SiGe/Si等平面化异质结雪崩击穿电子发射阵列器件。采用了氮化硅自对准等平面工艺和双离子注入等平面再氧化工艺实现了具有仅为40至60纳米的P（+）接触区低工艺台阶和10纳米的n（+）电子发射区低工艺台阶的等平面化电子发射器件表面。再应用超高真空CVD方法生长SiGe外延层，与n（+）硅电子发射区形成浅异质结。SiGe层厚度为20到30纳米，P型；采用生长过程硼烷掺杂和生长后硼离子注入两种方法形成P型，Ge的组份为0.2到0.4。该浅异质结的雪崩击穿电压为6至15伏，有电子发射现象。本研究交叉了真空微电子器件技术和硅锗异质结技术涉及了同类研究前沿；并移植了自对准工艺和全离子注入等大规律集成电路技术，使研究内容和方法上有一定的新意。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Si based quasi-planar self-aligned electron emission array
硅基准平面自对准电子发射阵列
  • DOI：
    10.1016/s0169-4332(02)00933-9
  • 发表时间：
    2002-12
  • 期刊：
    Applied Surface Science
  • 影响因子：
    6.7
  • 作者：
    Dazhong Zhu;Jiahua Zhu
  • 通讯作者：
    Jiahua Zhu
DESIGN AND RESEARCH OF QUASI-PLANAR SELF-ALIGNED SILICON AVALANCHE ELECTRON EMMISSION ARRAY
准平面自对准硅雪崩电子发射阵列的设计与研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Journal of Electronics(CHINA)
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Zhu Dazhong
  • 通讯作者：
    Zhu Dazhong

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其他文献

基于扇形MAGFET同步取样模式的CM
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    《传感技术学报》录用，将由EI收录
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    刘同;朱大中
  • 通讯作者：
    朱大中
扩大感光动态范围的象限光电传感
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    《固体电子学研究与进展》第24卷 第1期，第55~59页，2004年2月，EI收录
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    周鑫;朱大中
  • 通讯作者：
    朱大中
用于X射线传感器的多通道微弱电流采集系统
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    单片机与嵌入式系统应用
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    许超群;孙颖;朱大中
  • 通讯作者：
    朱大中
基于标准CMOS工艺的有源像素单元
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    《压电与声光》第27卷 第4期，第434~437页，2005年4月，EI page one收录
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    周鑫;朱大中;郭维
  • 通讯作者：
    郭维
基于CMOS工艺的双结深CTIA荧光传感器
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    传感技术学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    施朝霞;朱大中
  • 通讯作者：
    朱大中

其他文献

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朱大中的其他基金

集成片上闪烁层CMOS X射线阵列传感器研究
  • 批准号：
    61076075
  • 批准年份：
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生物微环境多参量CMOS数模混合细胞传感集成电路研究
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光敏微像素象限阵列和磁敏线阵列融合型CMOS数模混合传感器集成电路
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    重大研究计划
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  • 批准号：
    60176027
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    面上项目
硅自对准雪崩击穿电子发射平面阵列集成器件
  • 批准号：
    69176025
  • 批准年份：
    1991
  • 资助金额：
    4.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目

相似国自然基金

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  • 批准号：
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相似海外基金

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AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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