半导体纳米材料的多激子产生研究

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AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    11274161
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    90.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    A2206.微纳光学与光子学
  • 结题年份:
    2016
  • 批准年份:
    2012
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2013-01-01 至2016-12-31

项目摘要

The development of new structures, materials and methods to increase the photon-to-electron conversion efficiency of low-cost solar cells has become one of the most active areas in both fundamental research and device applications. The multiple exciton generation (MEG) process of semiconductor nano-materials can make full use of the ultraviolet radiation in the solar spectrum by creating multiple electron-hole pairs upon absorption of a single photon. Thus, the researh of MEG effect has the potential to greatly increase the photon-to-electron conversion efficiency in solar cell devices and will play important roles in solving the current energy crisis and decreasing the environmental pollution. In this project, we plan to use single molecule spectroscopy and ultrafast optical techniques, including pump-probe, stimulated Raman, resonant energy transfer and integrated spectrum measurments, to systematically study the MEG process and its underlying physical mechanisms in various semiconductor nano-materals. The main research directions of this poject include: (1)Investigating novel optical techniques for the measurement of MEG effect in semiconductor nano-materials; (2)Elucidating the current controversy on MEG effect in colloidal quantum dots; (3) Demonstrating MEG effect in new material systems such as self-assembled quantum dots and single-walled carbon nanotubes; (4) Proposing practical plans for the optimization of photovoltaic devices using MEG effect of semiconductor nano-materials.
发展基于太阳能全光谱利用的低成本太阳能电池,探索大幅度提高其光电转换效率的新结构、新材料、新方法,已经成为当前最为前沿的基础和应用研究领域之一。半导体纳米材料体系中的多激子产生过程能够充分利用太阳光光谱中的紫外波段,解除一个吸收的单光子最多只能产生一个电子-空穴对的限制,从而革命性地提高太阳能电池的光电转换效率,对于解决能源危机和减少环境污染具有战略性的意义。本项目计划结合单分子光谱和超快光谱技术,通过泵浦-探测、受激拉曼、共振能量转移和稳态光谱测量等方法系统地研究各种半导体纳米材料体系中的多激子产生过程和物理机制。项目的主要研究目标包括:探索半导体纳米材料多激子产生测量的新方法,澄清胶体量子点体系中多激子产生效率的争议,展现自组装量子点和碳纳米结构等新体系中的多激子产生过程,并提出利用多激子产生效应优化光伏器件的应用方案。

结项摘要

单个半导体纳米结构在吸收两个以上低能光子时由于带填充效应会形成多个电子-空穴对,而这个多激子态也可能在吸收一个高能光子后通过载流子倍增效应而产生。研究半导体纳米结构的多激子产生过程对其在激光、光探测器、发光二极管、太阳电池和量子信息处理方面的应用具有极大的指导意义。在本项目中,我们首先表征了外延生长自组织量子点、胶体金属硫化物纳米晶、石墨烯纳米片和单壁碳纳米管的基本光学特性,从中筛选出胶体金属硫化物CdSe纳米晶作为适合多激子产生研究的量子受限材料体系。之后,我们首次在单个CdSe纳米晶中实现了单激子和双激子能量转移过程的测量,并利用所掌握的技术首次将该过程用于探测系综CdSe纳米晶中由于载流子倍增效应所产生的双激子工作中。接下来,我们首次实现了紫外激发下对单个CdSe纳米晶的荧光特性测量,并在单粒子的精度确认了载流子倍增效应的存在并对其双激子产生效率进行了精确评估。最后,我们首次在胶体钙钛矿纳米晶中观察到单光子发射现象并揭示了其不同于传统胶体CdSe纳米晶的新奇光学特性,从而为下一步研究该新型纳米材料体系的多激子产生过程提供了坚实的基础。基于上述工作共发表13篇项目标注文章,包扩Nature Communications 1篇、Physical Review Letters 1篇、Nano Letters 2篇、ACS Nano 3篇、Scientific Reports 2篇、Applied Physics Letters 2篇、ACS Photonics 1篇和Optics Express 1篇。

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Giant up-conversion efficiency of InGaAs quantum dots in a planar microcavity.
平面微腔中 InGaAs 量子点的巨大上转换效率
  • DOI:
    10.1038/srep03953
  • 发表时间:
    2014-02-04
  • 期刊:
    Scientific reports
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Xu Q;Piermarocchi C;Pershin YV;Salamo GJ;Xiao M;Wang X;Shih CK
  • 通讯作者:
    Shih CK
Defect-induced photoluminescence blinking of single epitaxial InGaAs quantum dots.
单外延 InGaAs 量子点的缺陷诱导光致发光闪烁
  • DOI:
    10.1038/srep08898
  • 发表时间:
    2015-03-10
  • 期刊:
    Scientific reports
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Hu F;Cao Z;Zhang C;Wang X;Xiao M
  • 通讯作者:
    Xiao M
Auger-assisted ultrafast fluorescence measurement of semiconductor single-walled carbon nanotubes
半导体单壁碳纳米管的俄歇辅助超快荧光测量
  • DOI:
    10.1021/acsphotonics.5b00752
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
    ACS Photonics
  • 影响因子:
    7
  • 作者:
    Hu Fengrui;Cao Zengle;Hua Zheng;Xu Qinfeng;Zheng Ming;Zhang Chunfeng;Wang Xiaoyong;Xiao Min
  • 通讯作者:
    Xiao Min
Extended storage of multiple excitons in trap states of semiconductor nanocrystals
半导体纳米晶体陷阱态下多个激子的延长存储
  • DOI:
    10.1063/1.4943367
  • 发表时间:
    2016-03
  • 期刊:
    Applied Physics Letters
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Huizhen Wu;Chunfeng Zhang;Xiaoyong Wang;Min Xiao
  • 通讯作者:
    Min Xiao
Slow Auger Recombination of Charged Excitons in Nonblinking Perovskite Nanocrystals without Spectral Diffusion
无光谱扩散的非闪烁钙钛矿纳米晶体中带电激子的慢俄歇复合
  • DOI:
    10.1021/acs.nanolett.6b02874
  • 发表时间:
    2016-10-01
  • 期刊:
    NANO LETTERS
  • 影响因子:
    10.8
  • 作者:
    Hu, Fengrui;Yin, Chunyang;Xiao, Min
  • 通讯作者:
    Xiao, Min

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  • 作者:
    张俊;尹立河;马洪云;黄金廷;王晓勇
  • 通讯作者:
    王晓勇

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AI项目解读示例

课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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