ZnO中离子注入掺杂引入缺陷及其对电学和磁学性能影响研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    10875088
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    45.0万
  • 负责人：
    陈志权
  • 依托单位：
    武汉大学
  • 学科分类：
    A3004.核分析技术及应用
  • 结题年份：
    2011
  • 批准年份：
    2008
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2009-01-01 至2011-12-31

项目摘要

本项目利用离子注入技术在ZnO中注入B、Al、N、P等离子，实现高质量的n型和p型导电，并通过注入磁性离子Fe、Co、Ni等，以制备ZnO磁性半导体。利用霍耳效应等方法测量离子注入及退火后ZnO的导电特性、载流子浓度和迁移率。利用慢正电子束技术研究离子注入产生的缺陷，包括缺陷的种类、浓度等。研究这些缺陷对掺杂性能的影响，如缺陷对载流子的浓度以及迁移率等的影响,缺陷与杂质的相互作用等。研究热退火过程中缺陷的回复行为，掌握控制缺陷的有效手段，以进一步提高ZnO的质量。结合缺陷研究和光学特性测量，了解ZnO中的深能级发光中心的缺陷来源，有助于提高ZnO的紫外发光效率。利用基于慢正电子束的符合多普勒展宽新技术，研究磁性离子如Fe、Co、Ni等注入ZnO并退火后离子团簇的形成，以及团簇与磁性的关系。本项目对于尝试用离子注入ZnO实现高质量的导电和磁性掺杂均具有重要的指导意义。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（12）
专著数量（2）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Chemical quenching of positronium in Fe2O3/Al2O3 catalysts
Fe2O3/Al2O3 催化剂中正电子素的化学猝灭
  • DOI：
    10.1016/j.apsusc.2010.04.092
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Applied Surface Science
  • 影响因子：
    6.7
  • 作者：
    Chen; Z. Q.;Li; C.;Zhang; H. J.
  • 通讯作者：
    H. J.
Monolayer dispersion of NiO in NiO/Al2O3 catalysts probed by positronium atom
正电子原子探测 NiO 在 NiO/Al2O3 催化剂中的单层分散
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    THE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    陈志权
  • 通讯作者：
    陈志权
Correlation between ferromagnetism and defects in MgO nanocrystals studied by positron annihilation
正电子湮没研究氧化镁纳米晶铁磁性与缺陷的相关性
  • DOI：
    10.1016/j.physb.2011.12.134
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Physica B: Condens Matter
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    陈志权
  • 通讯作者：
    陈志权
Chemical Quenching and Inhibition of Positronium in Cr2O3/Al2O3 Catalysts
Cr2O3/Al2O3 催化剂中正电子的化学猝灭和抑制
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Wuhan University Journal of of Natural Sciences
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    陈志权
  • 通讯作者：
    陈志权
Co掺杂纳米ZnO微结构的正电子湮没研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Acta Phys. Sin., (物理学报)
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    陈志权
  • 通讯作者：
    陈志权

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其他文献

氧化铟/聚(3,4-乙烯二氧噻吩)复合材料的微结构及其热电性能研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
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  • 影响因子：
    1
  • 作者：
    陶颖;祁宁;王波;陈志权;唐新峰
  • 通讯作者：
    唐新峰
Defects versus grain size effects on the ferromagnetism of ZrO2 nanocrystals clarified by positron annihilation
通过正电子湮灭阐明了缺陷与晶粒尺寸对 ZrO2 纳米晶体铁磁性的影响
  • DOI：
    10.1063/1.4790156
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    陈志权
  • 通讯作者：
    陈志权
Effect of high temperature annealing on defects and optical properties of ZnO single crystals
高温退火对ZnO单晶缺陷及光学性能的影响
  • DOI：
    10.1002/pssa.201127527
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science
  • 影响因子：
    2
  • 作者：
    陈志权
  • 通讯作者：
    陈志权
Chemical effect of Si+ ions on the implantation-induced defects in ZnO studied by a slow positron beam
慢速正电子束研究硅离子对 ZnO 中注入诱导缺陷的化学效应
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    陈志权
  • 通讯作者：
    陈志权
Defect mediated ferromagnetism in Ni-doped ZnO nanocrystals evidenced by positron annihilation spectroscopy
正电子湮灭光谱证实了 Ni 掺杂 ZnO 纳米晶体中缺陷介导的铁磁性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    陈志权
  • 通讯作者：
    陈志权

其他文献

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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