半导体多层膜缺陷和界面结构的X射线动力学衍射研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:19474066
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:7.5万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A2002.凝聚态物质力热光电性质
- 结题年份:1997
- 批准年份:1994
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1995-01-01 至1997-12-31
- 项目参与者:柴卫平; 吴兰生; 李明; 郭红霞; 徐路;
- 关键词:
项目摘要
应用X射线双晶衍射技术、镜面反射、漫反射和倒易空间横扫描等技术,在原子水平深入研究GeSi/Si,化合物半导体多层膜和超晶格的界面结构,应力分布,失配位错和界面粗糙度等参数及其对材料性能的影响。(1)改进和发展了双晶衍射摇摆曲线计算机模拟程序,使之成为运用范围广,功能比较全的程序;(2)测定了多种不同工艺生长的多层膜,超晶格材料的结构参数,点陈失配和位错网络等,为优化制备工艺提供科学依据;(3)推导低维材料X射线反射强度表达式,编制计算机程序和数据库;(4)研究了不同层厚,不同基片偏角的GeSi/Si超晶格的界面粗糙度;(5)研究了在Si.Ge,和GaAs衬底上生长的成分梯度SiGe外延膜和生长在低温Si缓冲层SiGe异质结构的界面应变,失配位错密度。
结项摘要
项目成果
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