电荷有序Ln2-xSrxNiO4陶瓷的巨介电效应与小极化子跃迁

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AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    51272233
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    79.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    E0208.无机非金属能量转换与存储材料
  • 结题年份:
    2016
  • 批准年份:
    2012
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2013-01-01 至2016-12-31

项目摘要

The giant dielectric responses in the charge-ordered Ln2-xSrxNiO4 (x=0.5,0.25) ceramics up to high frequency were observed, and this might provide the possible application of giant dielectric materials at high frequency. After analysising the link between charge ordering and giant dielectric response, a small polarnic hopping model was proposed. Based on aboved results, we focuse on the giant dielectric response and dielectric relaxation in the charge-ordered Ln2-xSrxNiO4 (Ln=La, Nd, Sm) ceramics in the present project. First, the size and concentration of small polaron can be tuned by changing the component and the post heat-treating, after comparing the experimental dielectric constant, response frequency and activation energy of dielectric relaxation with the predicted results from the small polaronic hopping model, the correlation between the giant dielectric respone and small polaronic hopping can be confirmed. Then, with the help of character of small polaron from the electric transport measurement, the detailed structural origin of the giant dielectric response in the present materials are given. Final, based on the above model, a new effective method, formation of the core-shell structure, to optimize and control the giant dielectric response of Ln2-xSrxNiO4 ceramics is proposed, and the method may lead to the practical application of the present materials.
电荷有序Ln2-xSrxNiO4(x=0.5,0.25)陶瓷中观测到高频巨介电效应,这为巨介电常数材料在高频应用打开了大门,在分析电荷有序与巨介电效应关联的基础上,我们提出了小极化子跃迁模型。本项目拟在以上工作基础上,着眼于电荷有序Ln2-xSrxNiO4 (Ln=La, Nd, Sm) 陶瓷中的介电弛豫及巨介电效应,首先通过改变材料的组成并结合烧结后的热处理来调控小极化子的尺度与浓度,分析材料介电常数、介电响应频率以及激活能的变化规律,并与小极化子跃迁模型的预测结果进行比对来确认两者的关联;随后,利用材料的电输运特性给出小极化子的特性,从而给出该材料体系巨介电效应的物理本质与结构根源;最后在该模型基础上,利用形成核-壳结构新方法,来探索优化与调控Ln2-xSrxNiO4陶瓷巨介电效应的有效途径,为该材料的实用化奠定基础。

结项摘要

在具有K2NiF4结构的镍酸盐中发现了温度稳定的高频巨介电效应,极大地拓宽了巨介电常数材料的应用范围。通过研究其介电响应与电荷有序等结构、性能的关联,建立了小极化子跃迁模型。按照该模型,材料的介电效应是与小极化子浓度及尺度密切相关,而小极化子则是由Ni3+离子中t2g轨道的空穴引起的。因此,控制材料中Ni3+离子的浓度成为调控材料的巨介电效应的关键。本项目通过研究氧空位对La5/3Sr1/3NiO4+δ和Sm1.5Sr0.5NiO4-δ陶瓷巨介电效应的影响规律,揭示了氧空位在该材料体系的特殊作用,给出了获得巨介电效应的有效途径;通过烧结后热处理的方法来控制Nd2NiO4+δ陶瓷中的过量氧含量,有效地调节了材料小极化子的浓度,达到了优化材料巨介电效应的目标;通过用不可变价Al离子来置换可变价的Ni离子,实现了对材料中的小极化子浓度和尺度的调控,进而强化了其巨介电效应,并最终揭示了镍酸盐陶瓷的巨介电效应的物理本质与微结构起源;在以上研究基础上,通过引入绝缘阻挡层来降低小极化子的长程迁移,在保持温度稳定的巨介电常数的前提下有效地降低了材料的介电损耗,为该材料的实用化指明了方向。同时,根据该领域发展的新趋势,适度增加了相关材料的非本征铁电性和巨磁介电效应的研究,取得的重要进展、并促进了具有K2NiF4结构的镍酸盐陶瓷本身的研究。

项目成果

期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(1)
Contribution of oxygen vacancies to the giant dielectric response in Sm1.5Sr0.5NiO4-delta ceramics
氧空位对 Sm1.5Sr0.5NiO4-delta 陶瓷中巨介电响应的贡献
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
    Applied Physics A-Materials Science & Processing
  • 影响因子:
    2.7
  • 作者:
    Liu, G.;Liu, X. Q.;Chen, X. M.
  • 通讯作者:
    Chen, X. M.
Dielectric Characteristics in BiFeO3-Modified SrTiO3 Incipient Ferroelectric Ceramics
BiFeO3 改性 SrTiO3 初始铁电陶瓷的介电特性
  • DOI:
    10.1088/0256-307x/32/2/025201
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
    Chinese Physics Letters
  • 影响因子:
    3.5
  • 作者:
    Liu Juan;Qin Ying;Liu Xiao-Qiang;Chen Xiang-Ming
  • 通讯作者:
    Chen Xiang-Ming
Giant dielectric response with reduced loss in ceramics with nominal composition of La1.5Sr0.5NiO4-SiO2
标称成分为 La1.5Sr0.5NiO4-SiO2 的陶瓷具有巨大的介电响应并降低了损耗
  • DOI:
    10.1007/s10832-016-0041-2
  • 发表时间:
    2016-12-01
  • 期刊:
    JOURNAL OF ELECTROCERAMICS
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Liu, X. Q.;Liu, G.;Chen, X. M.
  • 通讯作者:
    Chen, X. M.
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室温下火花等离子烧结 Ba0.65Sr0.35TiO3 基陶瓷的增强电热效应
  • DOI:
    10.1111/jace.12219
  • 发表时间:
    2013-04-01
  • 期刊:
    JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY
  • 影响因子:
    3.9
  • 作者:
    Liu, Xiao Qiang;Chen, Ting Ting;Chen, Xiang Ming
  • 通讯作者:
    Chen, Xiang Ming
Effect of excess oxygen on crystal structures and dielectric responses of Nd2NiO4+delta ceramics
过量氧对 Nd2NiO4 δ 陶瓷晶体结构和介电响应的影响
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
    Journal of Alloys and Compounds
  • 影响因子:
    6.2
  • 作者:
    Chen, Ting Ting;Wang, Jian;Liu, Xiao Qiang;Chen, Xiang Ming
  • 通讯作者:
    Chen, Xiang Ming

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其他文献

双极性忆阻器模型参数对蕴含逻辑门的影响
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    --
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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

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          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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