窄禁带半导体中自旋相关的磁光光谱研究

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AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60906043
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    20.0万
  • 负责人：
    越方禹
  • 依托单位：
    华东师范大学
  • 学科分类：
    F0405.半导体器件物理
  • 结题年份：
    2012
  • 批准年份：
    2009
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2010-01-01 至2012-12-31

项目摘要

利用原位掺砷获得高质量非本征P型窄禁带碲镉汞是目前研制中远红外焦平面的关键，但砷在碲镉汞中存在明显补偿特性（两性行为），影响材料体系电子能级结构，进而降低器件光电性能。这种补偿行为多见于理论计算结果，而电学方法难以定量分析。考虑到窄禁带碲镉汞载流子有效质量小、能带明显非抛物性、以及在磁场和低温下红外波段存在相当大磁光现象等特点，本项目拟结合磁－塞曼效应、光调制手段、锁相放大技术和偏振系统，实现极端条件下多维可调的（偏振）调制磁光致发光光谱测试方法，并对窄禁带掺砷碲镉汞外延膜带边结构发生（自旋）朗道分裂后在中远红外波段的磁发光信号进行（选择性）探测，分析砷在窄禁带碲镉汞中因占据不同晶格位置所表现出的磁光动力学过程，研究补偿材料体系中激子态的磁发光机制，获得原位生长碲镉汞中与两性砷相关的补偿杂质存在形式及其电子结构，为优化砷激活工艺参数、制备非本征P型中长波碲镉汞材料及其红外焦平面提供指导。

结项摘要

在本项目支撑下，利用光学测试手段，对窄禁带半导体及其低维结构的光学性质、弛豫机制及其动力学过程进行了测试和研究。通过光谱测试结果优化了窄禁带掺杂碲镉汞的最佳退火条件，从理论上解释了基于常规温度（如 液氮温度 77 K 或室温）吸收谱确定三元合金（碲镉汞）半导体镉组分的结果存在一定误差的原因，并探讨了其与光致发光谱结果在不同温度区间的优劣性，部分结果已发表于《Chinese Physics B》等期刊上，这些研究结果对碲镉汞材料生长及其相关器件的研制具有指导意义；同时，对窄禁带硫化铅半导体材料的低维体系-量子点进行了时间分辨的光致发光谱测试，在观测其微秒量级自发辐射演变规律的同时，首次发现了皮秒级的快速复合过程，结合系统实验研究和理论模型建立，发现该快速复合过程与俄歇复合、多激子产生效应无关，而是来自于量子点体系的受激发射过程，并对该过程的产生条件和影响因素进行了系统的研究，这对于研制玻璃基半导体量子点激光材料十分关键，该结果以快报形式并作为封面文章发表于国际光学顶级期刊《Laser & Photonics Review》；此外，对于铅盐量子点作为近红外波段光源进行了探索，通过对材料及其结构进行设计，初步实现了利用量子点尺寸分布原理的玻璃基铅盐量子点宽带宽近红外光纤光源，部分结果已发表于《Optics Express》。

项目成果

期刊论文数量（8）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（2）
The photoluminescence characterization of the N-doped ZnO films produced by wet chemical deposition
湿法化学沉积制备N掺杂ZnO薄膜的光致发光表征
  • DOI：
    10.1007/s00339-012-6841-6
  • 发表时间：
    2012-03
  • 期刊：
    Applied Physics A: Materials Science and Processing
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Yue Zhao;Xiang Peng;Zhao Li;Mingtao Zhou;Xiaoyan Liang;Jian Wang;Jiahua Min;Linjun Wang;Weimin Shi
  • 通讯作者：
    Weimin Shi
The determination of the x value in doped Hg1-xCdxTe by transmission spectra
透射光谱法测定掺杂Hg1-xCdxTe中的x值
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    Chinese Physics B
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Yue Fang-Yu;Chen Lu;Li Ya-Wei;Sun Lin;Yang Ping-Xiong;Chu Jun-Hao
  • 通讯作者：
    Chu Jun-Hao
Preparation and characterization of BiFeO3/LaNiO3 heterostructure films grown on silicon substrate
硅衬底上 BiFeO3/LaNiO3 异质结构薄膜的制备及表征
  • DOI：
    10.1016/j.jcrysgro.2009.11.058
  • 发表时间：
    2010-02
  • 期刊：
    Journal of Crystal Growth
  • 影响因子：
    1.8
  • 作者：
    Li, Y. W.;Shen, Y. D.;Yue, F. Y.;Hu, Z. G.;Ma, X. M.;Chu, J. H.
  • 通讯作者：
    Chu, J. H.
Influence of annealing conditions on impurity species in arsenic-doped HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
退火条件对分子束外延生长掺砷 HgCdTe 杂质种类的影响
  • DOI：
    10.1088/1674-1056/19/11/117106
  • 发表时间：
    2010-11
  • 期刊：
    Chinese Physics B
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Yue Fang-Yu;Chen Lu;Li Ya-Wei;Hu Zhi-Gao;Sun Lin;Yang Ping-Xiong;Chu Jun-Hao
  • 通讯作者：
    Chu Jun-Hao

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  • 通讯作者：
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  • 作者：
    吕翔;邵军;褚君浩;黄炜;马丽丽;越方禹;李宁
  • 通讯作者：
    李宁

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课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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