新型电位调制波长的多孔硅发光机理及器件研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:29573091
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:8.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:B0205.电化学
- 结题年份:1998
- 批准年份:1995
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1996-01-01 至1998-12-31
- 项目参与者:李经建; 李春增; 陈泳; 贾霖; 王荣秋; 王宗秀;
- 关键词:
项目摘要
本项目建立了多孔硅现场电致发光检测系统,获得了从690蓝移至550nm的电位调制电致发光,发光强度随偏压增加而增强直至饱和。发现定偏压下电致发光峰值能量随时间红移。综合运用现场红外光谱技术、原子力显微技术和光电化学方法对多孔硅液相电致发光过程及发光前后的表面组成、结构形貌及光电流变化进行跟踪,实验结果表明S2O(8,2)的还原是多孔硅电致发光的空穴来源,不同大小的偏压可选择激活不同尺寸的纳米硅,从而导致了发射波长的电压调制;发光过程伴随的表面氧化导致了发光峰位的红移。首次观察到多孔硅液相电致发光的双峰现象,用我们前期研究提出的多源量子阱发光机制模型给出了合理的解释。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(1)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Multiple Source Quantum Well Model of Porous Silicon Light Emission
多孔硅发光的多源量子阱模型
- DOI:10.1149/1.1836649
- 发表时间:1996-04
- 期刊:J.Electrochemical Society
- 影响因子:--
- 作者:S.L.Zhang;Y.Chen;J.J.Li;S.M.Cai
- 通讯作者:S.M.Cai
Mechanism of voltage tunable electroluminescence of porous silicon
多孔硅电压可调电致发光机理
- DOI:10.1007/bf03182642
- 发表时间:1997-04
- 期刊:Chinese Science Bulletin
- 影响因子:--
- 作者:R.Q.WANG;J.J.LI;Z.F.Liu;S.M.Cai
- 通讯作者:S.M.Cai
Quantum comfinement effect in electroluminescent porous silicon
电致发光多孔硅中的量子限制效应
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Science in China(Series)
- 影响因子:--
- 作者:R.Q.WANG;J.J.LI;Z.F.Liu;S.M.Cai
- 通讯作者:S.M.Cai
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其他文献
多孔硅于甲酸-甲酸钠溶液阳极偏压下的电致发光研究
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- 发表时间:--
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- 通讯作者:蔡生民
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- 发表时间:--
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- 影响因子:--
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- 通讯作者:蔡生民
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- 发表时间:--
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- 通讯作者:蔡生民
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- 发表时间:--
- 期刊:电化学
- 影响因子:--
- 作者:张莉;任焱杰;蔡生民
- 通讯作者:蔡生民
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- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:物理化学学报
- 影响因子:--
- 作者:张占军;李经建;蔡生民
- 通讯作者:蔡生民
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