多孔硅的制备及其特性研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:29273091
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:5.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:B0205.电化学
- 结题年份:1995
- 批准年份:1992
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1993-01-01 至1995-12-31
- 项目参与者:钱必东; 刁鹏; 何国山;
- 关键词:
项目摘要
用电化学和光电化学阳极氧化法在不同衬底单晶硅上制备了具荧光活性的多孔硅.用AFM表征其结构,观察到纳米硅晶的存在,其尺寸与Raman测定的理论计算吻合.较早获得了微结构因制备条件,衬底硅掺杂种类而异的系列图象.首次在国际上报道了多孔硅光致发光峰值能量随HF酸浓度变化的"台阶"现象,长达两年的跟踪该"台阶"行为依然存在,目前已被二个实验室发表在国际核心刊物上的论文证实是正确的.对新制备多孔硅分别进行化学氧化(HNO3 、H2O2),大气热氧化和激光辐照以及长期存放自然氧化等处理,观察到罕见的室温双峰光致发光现象,结合傅里叶变换红外光谱和Raman散射的测定结果提出了新的多孔硅光发射量子阱模型.
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(3)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
化学氧化对多孔硅表面态和光致发光的影响
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:物理化学学报
- 影响因子:--
- 作者:李经建;蔡生民等
- 通讯作者:蔡生民等
多孔硅的热氧化与光致发光
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:科学通报
- 影响因子:--
- 作者:李经建;蔡生民等
- 通讯作者:蔡生民等
The Step-like behavior of photoluminescence peak energy and formation of p-type porous silicon
光致发光峰值能量的阶梯行为与p型多孔硅的形成
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Appl.Phys.Lett.
- 影响因子:--
- 作者:张树霖;蔡生民等
- 通讯作者:蔡生民等
Two-peak photoluminescence and light-emitting mechanism of porous silicon
多孔硅的双峰光致发光及发光机理
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Phys.Rev.B
- 影响因子:--
- 作者:张树霖;蔡生民等
- 通讯作者:蔡生民等
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- 通讯作者:蔡生民
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- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:物理化学学报
- 影响因子:--
- 作者:张占军;李经建;蔡生民
- 通讯作者:蔡生民
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