磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:10334030
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:200.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A20.凝聚态物理
- 结题年份:2007
- 批准年份:2003
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2004-01-01 至2007-12-31
- 项目参与者:杨富华; 谭平恒; 李桂荣; 蒋春萍; 邓加军; 戴宁; 陈静; 高玉竹; 胡淑红;
- 关键词:
项目摘要
本项目主要研究Mn掺杂和Cr掺杂的III-V族磁性半导体(III,M)V (这里III=Ga, In; M=Mn, Cr; V=Sb, As)、半金属磁性材料闪锌矿结构锑化铬(zb-CrSb)和砷化铬(zb-CrAs) 及其异质结构的生长制备和与自旋相关的磁、电和光学性质;研究(III,M)V、zb-CrSb和zb-CrAs分别与非磁性半导体组成异质结构的界面结构、层间相互作用和隧道效应等物理性质;研究自旋极化载流子从(III,M)V、zb-CrSb或zb-CrAs向非磁性半导体的注入、输运、操作、存储和检测,并探索用(III,M)V、zb-CrSb和zb-CrAs制备的高性能多功能半导体自旋基器件,如自旋发光二极管和自旋场效应晶体管等。本项目的研究内容对于在半导体结构中同时操作电子的电荷和自旋自由度来实现信息处理、提升现有器件的功能和开拓新一代自旋量子器件具有重要意义。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(28)
专著数量(2)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(5)
专利数量(0)
Growth of thicker zincblende C
较厚闪锌矿 C 的生长
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:J.J.Deng; J.H.Zhao; J.F.Bi; Z.
- 通讯作者:Z.
闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体学报,28, supplement, 204 (2007)
- 影响因子:--
- 作者:毕京锋; 赵建华; 邓加军; 郑玉宏
- 通讯作者:郑玉宏
Memory effect in a system of z
z 系统中的记忆效应
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:W.Z.Wang; J.J.Deng; J.Lu; B.Q.
- 通讯作者:B.Q.
稀磁半导体的研究进展
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:物理学进展, 27, 109(2007)(特邀综述)
- 影响因子:--
- 作者:赵建华; 邓加军; 郑厚植
- 通讯作者:郑厚植
Cr-doped InAs self-organized d
Cr掺杂InAs自组织d
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:Y.H.Zheng; J.H.Zhao; J.F.Bi; W
- 通讯作者:W
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- 发表时间:--
- 期刊:Chin. Phys.
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- 作者:赵建华
- 通讯作者:赵建华
其他文献
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