半导体中DX中心的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:69576022
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:8.5万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:1998
- 批准年份:1995
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1996-01-01 至1998-12-31
- 项目参与者:康俊勇; 吴正云; 余辛; 张元常; 詹华瀚;
- 关键词:
项目摘要
在本项目建立的laplace缺陷谱方法中,自行设计了采用共轭梯度法的Laplace逆变换程序,并在普通微机上运行。通过对计算机模拟的和实验的多指数瞬态过程的Laplace变换的数值运算,证明本方法具有高的能级分辨率,可分辨多指数函数是指数比率大于1.5的各个指数组分约2个数量级差别的不同组分的幅度比。由于引入约束参数等方法,系统具有相当的抗噪声能力。本方法已用于对AlGaAs中Sn施主DX中心及GaAsP中Fe受主中心的精细结构的研究,各获得的分裂谱峰,可归因于混晶无序效应导致的杂质能级的劈裂,进而提供了上述杂志中心的可能的微观结构。已发表论文中已有3篇被SCI及EI收录。此外,本项目对AlGaAs中DX中心的其他性质等也进行了研究。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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其他文献
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