MRAM存储芯片单元均匀性及界面结构控制机理研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    60771047
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    29.0万
  • 负责人：
    荆玉兰
  • 依托单位：
    电子科技大学
  • 学科分类：
    F0122.物理电子学
  • 结题年份：
    2010
  • 批准年份：
    2007
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2008-01-01 至2010-12-31

项目摘要

磁性随机存储器（MRAM，Magnetoresistive Random Access Memory）作为下一代非易失性存储器主流方向，已成为国际上的研究热点。目前对于记录单元均匀性及一致性的研究已成为其实用化亟待解决的难题。因此本项目首先旨在弄清自旋向上和自旋向下电子在MRAM记录单元中的输运和散射机理，通过对铁磁金属/顺磁金属、铁磁金属/反铁磁金属核心结构的建模分析，找到提高记录单元一致性的有效方法，并获得相关的机理结论；其次，通过有限元法的建模弄清记录单元形状对存储稳定性的影响，找到最适宜记录的单元形状，并通过实验进行验证；最后，在理论工作的指导下，采用RF/DC混合镀膜工艺，通过引入有效缓冲层及界面控制技术，对单元微结构、表面形貌、磁阻性能进行细致的研究，获取提升存储密度、单元均匀性的有效方法，为解决记录单元均匀性及一致性奠定一定的理论及实验基础。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（1）
专利数量（4）
Possible magnetoresistance effect in abrupt ferromagnetic semiconductor n-n heterojunction
突变铁磁半导体 n-n 异质结中可能的磁阻效应
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Physica E-Low-dimensional Systems & Nanostructures
  • 影响因子：
    3.3
  • 作者：
    Jing, Yu-Lan;Zhang, Huai-Wu;Tang, Xiao-Li
  • 通讯作者：
    Tang, Xiao-Li
Changing and reversing the exchange bias in a current-in-plane spin valve by means of an electric current
通过电流改变和逆转电流面内自旋阀中的交换偏压
  • DOI：
    10.1063/1.2786592
  • 发表时间：
    2007-09
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Zhang, Huai-Wu;Tang, Xiao-Li;Su, Hua;Jing, Yu-Lan;Zhong, Zhi-Yong
  • 通讯作者：
    Zhong, Zhi-Yong
大自旋极化率半金属Fe_3O_4薄膜制备及其磁性能
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    硅酸盐学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    荆玉兰;苏桦;张怀武;唐晓莉
  • 通讯作者：
    唐晓莉
Hot-electron transport properties of CoFe/n-Si and CoFe/Cu/n-Si junctions
CoFe/n-Si 和 CoFe/Cu/n-Si 结的热电子传输特性
  • DOI：
    10.1016/j.physe.2008.03.008
  • 发表时间：
    2008-08
  • 期刊：
    Physica E-Low-dimensional Systems & Nanostructures
  • 影响因子：
    3.3
  • 作者：
    Zhong, Zhi-Yong;Tang, Xiao-Li;Zhang, Huai-Wu;Su, Hua;Jing, Yu-Lan
  • 通讯作者：
    Jing, Yu-Lan
Large magnetoresistance based on double spin filter tunnel barriers
基于双自旋滤波器隧道势垒的大磁阻
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2008
  • 期刊：
    Chinese Physics Letters
  • 影响因子：
    3.5
  • 作者：
    Jing Yu-Lan;Zhang Huai-Wu;Su Hua;Tang Xiao-Li
  • 通讯作者：
    Tang Xiao-Li

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其他文献

CaWO_4-Li_2WO_4陶瓷低温烧结特性及微波性能研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    唐晓莉;张磊;江超;荆玉兰
  • 通讯作者：
    荆玉兰
TbFeCo缓冲层对钴铁氧体薄膜的微观结构和磁性能影响
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    硅酸盐学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    荆玉兰;金沈贤;钟智勇;张怀武;唐晓莉
  • 通讯作者：
    唐晓莉
LBSCA玻璃对微波介电陶瓷Li_2ZnTi_3O_8性能的影响
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    压电与声光
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    彭文平;苏桦;张怀武;荆玉兰
  • 通讯作者：
    荆玉兰
H_3BO_3掺杂对Co_2Z基磁介天线基板材料影响研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    压电与声光
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    荆玉兰;苏桦;唐晓莉;夏祺
  • 通讯作者：
    夏祺
H3BO3掺杂对Co2Z基磁介天线基板材料性能影响研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    压电与声光
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    荆玉兰;苏桦;唐晓莉;夏祺
  • 通讯作者：
    夏祺

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  • 项目类别：
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AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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