掺杂SiC单晶生长和物性研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:51072222
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:40.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0201.人工晶体与玻璃材料
- 结题年份:2013
- 批准年份:2010
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2011-01-01 至2013-12-31
- 项目参与者:刘宇; 王顺冲; 孙伟;
- 关键词:
项目摘要
SiC作为重要的第三代半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压以及抗辐射电子器件的理想材料,在军工、航天、固态照明和电力电子等领域具有重要的应用价值,因此成为当前全球半导体材料领域的前沿和制高点之一。对SiC进行掺杂,不仅可以有效调控其电性,而且会诱导出奇特的磁性和电输运性质。但目前对其铁磁性的起源和超导机制还存在争议,体系中电荷、自旋和晶格之间的相互作用还不清楚。本项目以生长高质量的掺杂(Al、B和Cr等)SiC单晶和研究掺杂SiC晶体中电荷、自旋和晶格的相互作用为目标,系统研究掺杂对SiC晶体结构以及发光、磁性和电输运性质等物性的影响规律,深入认识掺杂SiC晶体的铁磁性起源和超导机制,推动SiC基稀磁半导体和超导体研究和应用的发展。
结项摘要
掺杂不仅可以调控SiC等宽禁带半导体的电性,而且能够诱导出奇特的物性。本项目系统研究了不同元素掺杂高质量SiC单晶的物性,揭示了SiC本征磁性的起源,取得的主要代表性成果如下:(1) 改进了SiC粉料的合成方法和晶体快速生长技术,制备了一系列不同元素掺杂的高质量晶体,通过非磁性元素掺杂在SiC单晶中诱导出了磁性。(2) 通过中子辐照在碳化硅晶体中诱导出了以硅-碳双空位为主的缺陷,首次在实验上给出了硅-碳双空位导致铁磁性的证据,并从理论上揭示了双空位产生磁性的物理机制,开辟了缺陷工程调控宽禁带半导体磁性的新研究方向。(3) 确定了6H-SiC晶体中起源存在争议的V2(1.398 eV)发光源于6H-SiC晶体中的V束缚激子发光。发表SCI论文5篇,含1篇PRL、2篇APL,合作申请发明专利1项。
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(1)
Defect-Induced Magnetism in Neutron Irradiated 6H-SiC Single Crystals
中子辐照 6H-SiC 单晶中的缺陷诱发磁性
- DOI:10.1103/physrevlett.106.087205
- 发表时间:2011-02-24
- 期刊:PHYSICAL REVIEW LETTERS
- 影响因子:8.6
- 作者:Liu, Yu;Wang, Gang;Chen, Xiaolong
- 通讯作者:Chen, Xiaolong
Adjustable nitrogen-vacancy induced magnetism in AlN
AlN 中可调节的氮空位感应磁性
- DOI:10.1063/1.3696023
- 发表时间:2012-03-19
- 期刊:APPLIED PHYSICS LETTERS
- 影响因子:4
- 作者:Liu, Yu;Jiang, Liangbao;Chen, Xiaolong
- 通讯作者:Chen, Xiaolong
Vanadium bound exciton luminescence in 6H-SiC
6H-SiC 中的钒束缚激子发光
- DOI:--
- 发表时间:2012
- 期刊:Applied Physics Letters
- 影响因子:4
- 作者:Wang Shunchong;Wang Gang;Liu Yu;Jiang Liangbao;Wang Wenjun;Chen Xiaolong
- 通讯作者:Chen Xiaolong
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