AlInN材料的MOCVD生长与应用研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60576003
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:28.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2008
- 批准年份:2005
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2006-01-01 至2008-12-31
- 项目参与者:张书明; 张立群; 张爽; 郭希; 王建峰; 刘卫; 刘素英;
- 关键词:
项目摘要
本项目主要研究通过研究生长条件对AlInN材料In组份、AlInN晶体质量等的影响探索这种材料的最优化MOCVD生长技术,获得高质量的不同In组份的AlInN材料。与此同时,利用各种可能的测试手段对AlInN材料晶格参数、位错种类、位错产生和演化等晶体性质以及带隙宽度、反射率和折射率、迁移率和载流子浓度等物理性质进行测试和分析。高质量的AlInN材料- 特别是和GaN晶格匹配的AlInN材料- 在高功率器件的应用方面,不论是发光二极管和激光二极管,还是调制掺杂场效应晶体管和HBT,作为一种晶格常数和带隙宽度都有很大可调范围的新的光学工程材料会有很大的发展空间,具有非常大的研究价值。所以,本项目还将对AlInN材料在GaN基器件尤其是蓝光激光器中的应用进行探索和研究。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(28)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(1)
专利数量(0)
Temperature dependence of absorption edge in MOCVD grown GaN
MOCVD 生长的 GaN 吸收边缘的温度依赖性
- DOI:10.1007/s10854-007-9295-4
- 发表时间:2007-05
- 期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Effect of interface roughness and dislocation density on the electroluminescence intensity of InGaN multiple quantum wells
界面粗糙度和位错密度对InGaN多量子阱电致发光强度的影响
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
生长温度对金属有机化学气相沉积GaN/AlN量子阱结构质量的影响
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Stable multiplication gain in GaN p–i–n avalanche photodiodes with large device area
具有大器件面积的 GaN p-i-n 雪崩光电二极管具有稳定的倍增增益
- DOI:10.1088/0022-3727/42/1/015108
- 发表时间:2009-01
- 期刊:草业学报
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
Photoluminescence degradation in GaN induced by light enhanced surface oxidation
光增强表面氧化引起的 GaN 光致发光衰减
- DOI:10.1063/1.2786617
- 发表时间:2007-10
- 期刊:Journal of Applied Physics
- 影响因子:3.2
- 作者:
- 通讯作者:
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- 通讯作者:2.Department of Geomatics of Engineering,Central S
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