AlIn(Ga)N外延生长中的反应扩散问题

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    61574134
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    72.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    F0401.半导体材料
  • 结题年份:
    2019
  • 批准年份:
    2015
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2016-01-01 至2019-12-31

项目摘要

Reaction-Diffusion problem happened on the growing surface of (Al,In,Ga)N will be investigated using dynamics of pattern formation. Multi methods, including theoretical analysis, numerical simulation, and experimental verification will be used to explore the evolution of surface morphologies and the spatio-temporal distribution of Indium during the growing process of (Al,In,Ga)N materials by MOCVD. Study on phase separation of (Al,In,Ga)N materials is the focus of this project, with the aim to find efficient approach of controlling and modifying the phase separation of (Al,In,Ga)N materials. The phase separation started at which stage of material preparation process and it evolved in what a way was two important subjects to be deeply analyzed in order to clarify the deterministic relationship between Indium distribution pattern and the growth conditions. Study on temporal evolution of surface morphology of growing surface will be conducted to probe the basic physical process happened on the growing surface. Effects of patterns formed on the surface on the growing process also will be investigated.
本项目从斑图动力学理论的角度出发研究(Al,In,Ga)N材料外延生长表面的反应扩散问题。结合理论分析、计算机模拟和实验验证的方法,分析和研究(Al,In,Ga)N材料生长过程中表面形貌的演变和In组分在生长平面内以及生长方向上的空间分布,从而确定(Al,In,Ga)N材料的相分离发生的时间和方式,找到控制相分离的有效办法。从表面形貌演变研究中找到生长参数对微观物理过程的影响规律,探索生长表面In的时空分布对材料生长进程的影响。

结项摘要

从表面(界面)生长的动力学标度理论和斑图动力学理论出发,在材料生长试验和材料表征测试基础上,结合理论分析,研究了InGaN材料生长过程中表面形貌的演变和In组分在生长平面内以及生长方向上的空间分布,分析了InGaN材料的相分离(或者说组分涨落)发生的时间和方式,初步找到了比较有效地控制相分离的办法。根据不同样品表面形貌异同性的分析,推测表面形貌演变过程,建立模型,分析了生长参数对微观物理过程的影响,为控制非平衡生长条件导致的无序效应所对应的生长模式找到了初步的方法。.项目基本培养了硕士生1名,博士生1名,课题组相关人员合作发表学术论文大于10篇,包括SCI收录和EI收录。在学术交流方面也做了大量的工作,和同行在材料生长设备的设计与制造、生长设备反应室的改进与优化、材料生长工艺的开发与研究、实验设计与实验分析技术的学习与提高、材料生长物理/化学过程分析与模型建立、材料表征技术、器件测试分析技术等方面进行了广泛的合作与交流,主要是通过专家指导、技术人员互派、专题会议组织、国内外学术会议等方式。

项目成果

期刊论文数量(33)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(4)
Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths
不同阱宽蓝紫光发射InGaN/GaN多量子阱局域化效应分析
  • DOI:
    10.1088/1674-1056/26/1/017805
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
    Chinese Physics B
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Li Xiang;Zhao De-Gang;Jiang De-Sheng;Yang Jing;Chen Ping;Liu Zong-Shun;Zhu Jian-Jun;Liu Wei;He Xiao-Guang;Li Xiao-Jing;Liang Feng;Liu Jian-Ping;Zhang Li-Qun;Yang Hui;Zhang Yuan-Tao;Du Guo-Tong;Long Heng;Li Mo
  • 通讯作者:
    Li Mo
Influence of Indium Content on the Unintentional Background Doping and Device Performance of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Solar Cells
铟含量对InGaN/GaN多量子阱太阳能电池无意本底掺杂和器件性能的影响
  • DOI:
    10.1109/jphotov.2017.2699199
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
    IEEE Journal of Photovoltaics
  • 影响因子:
    3
  • 作者:
    Liu Wei;Zhao Degang;Jiang Desheng;Chen Ping;Shi Dongping;Liu Zongshun;Zhu Jianjun;Yang Jing;Li Xiang;Liang Feng;Liu Shuangtao;Xing Yao;Long Heng;Li Mo
  • 通讯作者:
    Li Mo
Performance Enhanced by Inserting an InGaN/GaN Shallower-Quantum Well Layer in InGaN Based Green Laser Diodes
通过在 InGaN 基绿光激光二极管中插入 InGaN/GaN 浅量子阱层来增强性能
  • DOI:
    10.1109/jphot.2017.2679719
  • 发表时间:
    2017-04-01
  • 期刊:
    IEEE PHOTONICS JOURNAL
  • 影响因子:
    2.4
  • 作者:
    Yang, Jing;Zhao, Degang;Li, Mo
  • 通讯作者:
    Li, Mo
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
Si掺杂AlN薄膜中杂质的XPS研究
  • DOI:
    10.1002/sia.6037
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
    Surface and Interface Analysis
  • 影响因子:
    1.7
  • 作者:
    Liang F.;Chen P.;Zhao D. G.;Jiang D. S.;Zhao Z. J.;Liu Z. S.;Zhu J. J.;Yang J.;Le L. C.;Liu W.;He X. G.;Li X. J.;Li X.;Liu S. T.;Yang H.;Liu J. P.;Zhang L. Q.;Zhang Y. T.;Du G. T.
  • 通讯作者:
    Du G. T.
Uniform-Sized Indium Quantum Dots Grown on the Surface of an InGaN Epitaxial Layer by a Two-Step Cooling Process
通过两步冷却工艺在 InGaN 外延层表面生长均匀尺寸的铟量子点
  • DOI:
    10.1186/s11671-019-3095-7
  • 发表时间:
    2019-08
  • 期刊:
    Nanoscale Research Letters
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    Liu Shuangtao;Yang Jing;Zhao Degang;Jiang Desheng;Zhu Jianjun;Liang Feng;Chen Ping;Liu Zongshun;Xing Yao;Peng Liyuan;Zhang Liqun
  • 通讯作者:
    Zhang Liqun

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其他文献

基于等信息量转换的区间二元语义多属性群决策方法
  • DOI:
    10.13195/j.kzyjc.2013.1692
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
    控制与决策
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    张娜;方志耕;朱建军;刘思峰;郭晓君
  • 通讯作者:
    郭晓君
Research on four kinds of uncertain preference information aggregation approach in group decision making
群体决策中四种不确定偏好信息聚合方法研究
  • DOI:
    10.1108/03684920910994402
  • 发表时间:
    2009-10
  • 期刊:
    KYBERNETES
  • 影响因子:
    2.5
  • 作者:
    朱建军
  • 通讯作者:
    朱建军
兼顾形状-距离的正态云模型综合相似度测算
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
    系统工程理论与实践
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    汪军;朱建军;刘小弟
  • 通讯作者:
    刘小弟
Rainstorm nowcasting based on GPS real-time precise point positioning technology
基于GPS实时精密单点定位技术的暴雨临近预报
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
    Chinese Journal of Geophysics-Chinese Edition
  • 影响因子:
    1.4
  • 作者:
    李黎;匡翠林;朱建军;陈武;陈永奇;龙四春;李洪玉;LI Li1,2,KUANG Cui-Lin2,ZHU Jian-Jun2,CHEN Wu3,CHE
  • 通讯作者:
    LI Li1,2,KUANG Cui-Lin2,ZHU Jian-Jun2,CHEN Wu3,CHE
无物方信息的未检校近景影像的方位元素估计
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    同济大学学报(自然科学版)
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    周拥军;寇新建;朱建军;ZHOU Yongjun1,KOU Xinjian1,ZHU Jianjun2(1.Schoo1 o;2.Department of Geomatics of Engineering,Central S
  • 通讯作者:
    2.Department of Geomatics of Engineering,Central S

其他文献

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朱建军的其他基金

富In条件下生长模式对AlInN晶体质量与光电性质的影响
  • 批准号:
    61176126
  • 批准年份:
    2011
  • 资助金额:
    70.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
AlInN材料的MOCVD生长与应用研究
  • 批准号:
    60576003
  • 批准年份:
    2005
  • 资助金额:
    28.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似国自然基金

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相似海外基金

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AI项目解读示例

课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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