AlIn(Ga)N外延生长中的反应扩散问题
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:61574134
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:72.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0401.半导体材料
- 结题年份:2019
- 批准年份:2015
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2016-01-01 至2019-12-31
- 项目参与者:何晓光; 杨静; 李翔; 王海;
- 关键词:
项目摘要
Reaction-Diffusion problem happened on the growing surface of (Al,In,Ga)N will be investigated using dynamics of pattern formation. Multi methods, including theoretical analysis, numerical simulation, and experimental verification will be used to explore the evolution of surface morphologies and the spatio-temporal distribution of Indium during the growing process of (Al,In,Ga)N materials by MOCVD. Study on phase separation of (Al,In,Ga)N materials is the focus of this project, with the aim to find efficient approach of controlling and modifying the phase separation of (Al,In,Ga)N materials. The phase separation started at which stage of material preparation process and it evolved in what a way was two important subjects to be deeply analyzed in order to clarify the deterministic relationship between Indium distribution pattern and the growth conditions. Study on temporal evolution of surface morphology of growing surface will be conducted to probe the basic physical process happened on the growing surface. Effects of patterns formed on the surface on the growing process also will be investigated.
本项目从斑图动力学理论的角度出发研究(Al,In,Ga)N材料外延生长表面的反应扩散问题。结合理论分析、计算机模拟和实验验证的方法,分析和研究(Al,In,Ga)N材料生长过程中表面形貌的演变和In组分在生长平面内以及生长方向上的空间分布,从而确定(Al,In,Ga)N材料的相分离发生的时间和方式,找到控制相分离的有效办法。从表面形貌演变研究中找到生长参数对微观物理过程的影响规律,探索生长表面In的时空分布对材料生长进程的影响。
结项摘要
从表面(界面)生长的动力学标度理论和斑图动力学理论出发,在材料生长试验和材料表征测试基础上,结合理论分析,研究了InGaN材料生长过程中表面形貌的演变和In组分在生长平面内以及生长方向上的空间分布,分析了InGaN材料的相分离(或者说组分涨落)发生的时间和方式,初步找到了比较有效地控制相分离的办法。根据不同样品表面形貌异同性的分析,推测表面形貌演变过程,建立模型,分析了生长参数对微观物理过程的影响,为控制非平衡生长条件导致的无序效应所对应的生长模式找到了初步的方法。.项目基本培养了硕士生1名,博士生1名,课题组相关人员合作发表学术论文大于10篇,包括SCI收录和EI收录。在学术交流方面也做了大量的工作,和同行在材料生长设备的设计与制造、生长设备反应室的改进与优化、材料生长工艺的开发与研究、实验设计与实验分析技术的学习与提高、材料生长物理/化学过程分析与模型建立、材料表征技术、器件测试分析技术等方面进行了广泛的合作与交流,主要是通过专家指导、技术人员互派、专题会议组织、国内外学术会议等方式。
项目成果
期刊论文数量(33)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(4)
Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths
不同阱宽蓝紫光发射InGaN/GaN多量子阱局域化效应分析
- DOI:10.1088/1674-1056/26/1/017805
- 发表时间:2017
- 期刊:Chinese Physics B
- 影响因子:1.7
- 作者:Li Xiang;Zhao De-Gang;Jiang De-Sheng;Yang Jing;Chen Ping;Liu Zong-Shun;Zhu Jian-Jun;Liu Wei;He Xiao-Guang;Li Xiao-Jing;Liang Feng;Liu Jian-Ping;Zhang Li-Qun;Yang Hui;Zhang Yuan-Tao;Du Guo-Tong;Long Heng;Li Mo
- 通讯作者:Li Mo
Influence of Indium Content on the Unintentional Background Doping and Device Performance of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Solar Cells
铟含量对InGaN/GaN多量子阱太阳能电池无意本底掺杂和器件性能的影响
- DOI:10.1109/jphotov.2017.2699199
- 发表时间:2017
- 期刊:IEEE Journal of Photovoltaics
- 影响因子:3
- 作者:Liu Wei;Zhao Degang;Jiang Desheng;Chen Ping;Shi Dongping;Liu Zongshun;Zhu Jianjun;Yang Jing;Li Xiang;Liang Feng;Liu Shuangtao;Xing Yao;Long Heng;Li Mo
- 通讯作者:Li Mo
Performance Enhanced by Inserting an InGaN/GaN Shallower-Quantum Well Layer in InGaN Based Green Laser Diodes
通过在 InGaN 基绿光激光二极管中插入 InGaN/GaN 浅量子阱层来增强性能
- DOI:10.1109/jphot.2017.2679719
- 发表时间:2017-04-01
- 期刊:IEEE PHOTONICS JOURNAL
- 影响因子:2.4
- 作者:Yang, Jing;Zhao, Degang;Li, Mo
- 通讯作者:Li, Mo
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
Si掺杂AlN薄膜中杂质的XPS研究
- DOI:10.1002/sia.6037
- 发表时间:2016
- 期刊:Surface and Interface Analysis
- 影响因子:1.7
- 作者:Liang F.;Chen P.;Zhao D. G.;Jiang D. S.;Zhao Z. J.;Liu Z. S.;Zhu J. J.;Yang J.;Le L. C.;Liu W.;He X. G.;Li X. J.;Li X.;Liu S. T.;Yang H.;Liu J. P.;Zhang L. Q.;Zhang Y. T.;Du G. T.
- 通讯作者:Du G. T.
Uniform-Sized Indium Quantum Dots Grown on the Surface of an InGaN Epitaxial Layer by a Two-Step Cooling Process
通过两步冷却工艺在 InGaN 外延层表面生长均匀尺寸的铟量子点
- DOI:10.1186/s11671-019-3095-7
- 发表时间:2019-08
- 期刊:Nanoscale Research Letters
- 影响因子:--
- 作者:Liu Shuangtao;Yang Jing;Zhao Degang;Jiang Desheng;Zhu Jianjun;Liang Feng;Chen Ping;Liu Zongshun;Xing Yao;Peng Liyuan;Zhang Liqun
- 通讯作者:Zhang Liqun
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- 通讯作者:LI Li1,2,KUANG Cui-Lin2,ZHU Jian-Jun2,CHEN Wu3,CHE
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- 通讯作者:2.Department of Geomatics of Engineering,Central S
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