用MEMS技术制造硅磁敏三极管模型与特性研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60076027
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:18.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0404.半导体电子器件与集成
- 结题年份:2004
- 批准年份:2000
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2001-01-01 至2004-12-31
- 项目参与者:孙普男; 邱成军; 范茂军; 高志强; 李国栋; 柏晓辉; 穆长生;
- 关键词:
项目摘要
本项目主要研究采用MEMS技术与介质隔离反外延法在硅表面制造具有矩形板状结构的立体硅磁敏三极管模型及其电磁特性研究。用该方法制造的硅平面磁敏三极管具有体积小、噪声低、灵敏度高、能与IC工艺技术相兼容、便于集成化的特点,为弱小磁场的测量提供了一种新型磁电转换器件。
结项摘要
项目成果
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