AlN半导体中的极化场及其对光学性质的影响研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    11074200
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    39.0万
  • 负责人：
    陈光德
  • 依托单位：
    西安交通大学
  • 学科分类：
    A2207.光谱学与固体发光
  • 结题年份：
    2013
  • 批准年份：
    2010
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2011-01-01 至2013-12-31

项目摘要

强极化场效应是III族氮化物半导体中普遍存在的一个重要现象，在AlN中表现更为突出。因此弄清楚AlN中极化场及其相关效应是AlN半导体材料与器件加快应用进程的关键问题之一。本项目将主要研究AlN外延膜中常见的扩展型位错缺陷和AlGaN/AlN,GaN/AlN等异质结构对AlN中极化场的影响；以及极化场对AlN光学性质，特别是对发光效率的影响；进一步探索通过缺陷及异质结构设计来调控极化场以提高AlN光学器件性能的可行性方案。研究手段采用实验测量和理论模拟计算相结合的方式。本项目属于应用基础研究，项目的完成将实现对AlN乃至整个III族氮化物中的极化场问题一个清晰全面的认识，将给出调控和利用极化场的可能途径，对相关材料的生长与器件的设计具有重要的指导和参考作用。因此本项目的研究具有重要学术及应用价值。

结项摘要

本项目以AlN半导体为中心，研究了半导体中的极化效应与缺陷及表面的关系。具体研究了缺陷和杂质对AlN等半导体自发和压电极化的影响，采用Wannier方法对机理进行了深入分析；研究了AlN纳米线电子性质的应力响应，发现压应力会导致电子空穴分离，降低发光效率；发现了一种可以导致AlN纳米线表面极化方向反转的缺陷结构，并预测该结构可以稳定存在；研究了AlN表面与氧的相互作用以及发生氧化后对极化性质的影响；进行了AlN纳米结构的制备及其光谱性质研究。在进行上述研究的过程中与GaN、ZnO等宽禁带半导体进行了横向比较，因此研究结果具有一定的普遍性。研究结果有助于进一步认识宽禁带半导体中的极化问题，以及极化与光学性质之间的关系，为进一步应用开发提供参考和指导。

项目成果

期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Structures and Mechanisms of Water Adsorption on ZnO(0001) and GaN(0001) Surface
ZnO(0001)和GaN(0001)表面水吸附的结构和机制
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    Journal of Physical Chemistry C
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Niu; Haibo;Zhu; Youzhang;Shao; Li;Qiao; Zhijuan
  • 通讯作者：
    Zhijuan
Structural and Electronic Properties of the Adsorption of Oxygen on AlN (10(1)over-bar0) and (11(2)over-bar0) Surfaces: A First-Principles Study
AlN (10(1)over-bar0) 和 (11(2)over-bar0) 表面氧吸附的结构和电子特性：第一性原理研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
    Journal of Physical Chemistry C
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Ye; Honggang;Chen; Guangde;Wu; Yelong
  • 通讯作者：
    Yelong
Origin of charge separation in III-nitride nanowires under strain
III族氮化物纳米线在应变下电荷分离的起源
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Wu; Yelong;Chen; Guangde;Wei; Su-Huai;Al-Jassim; Mowafak M.;Yan; Yanfa
  • 通讯作者：
    Yanfa
Ternary mixed crystal effects on interface optical phonon and electron-interface optical phonon coupling in wurtzite GaN/AlxGa1-xN quantum wells
纤锌矿GaN/AlxGa1-xN量子阱中界面光学声子和电子界面光学声子耦合的三元混晶效应
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    Optical Materials
  • 影响因子：
    3.9
  • 作者：
    Huang; Wen-Deng;Chen; Guang-De;Ye; Hong-Gang;Ren; Ya-Jie
  • 通讯作者：
    Ya-Jie
Electronic and structural properties of N-vacancy in AlN nanowires: A first-principles study
AlN 纳米线中 N 空位的电子和结构特性：第一性原理研究
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    Chinese Physics B
  • 影响因子：
    1.7
  • 作者：
    Ye Hong-Gang;Wu Ye-Long;Niu Hai-Bo;Zhu You-Zhang
  • 通讯作者：
    Zhu You-Zhang

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--"}}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--" }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--"}}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

其他文献

磷化铟纳米晶的制备及光学性质研
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    应用光学,28(2):0187-0190,2007
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    王红理;王东;陈光德;刘晖
  • 通讯作者：
    刘晖
Temperature Dependent Raman Sc
温度相关拉曼光谱
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    王瑞敏;陈光德
  • 通讯作者：
    陈光德
激光分子束外延方法生长的ZnO 薄
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    发光学报27 (12):215~220,2006
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    谢伦军;陈光德;竹有章
  • 通讯作者：
    竹有章
Synthesis of monocrystal alumi
单晶铝的合成
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    吕惠民;陈光德;耶红刚;颜国君
  • 通讯作者：
    颜国君
六方单晶氮化铝薄膜的合成与紫外
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    光子学报. 36(9):1687-1690,2007
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    吕惠民;陈光德;耶红刚;颜国君
  • 通讯作者：
    颜国君

其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--" }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--"}}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--" }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
empty
内容获取失败，请点击重试
重试联系客服
title开始分析
查看分析示例
此项目为已结题，我已根据课题信息分析并撰写以下内容，帮您拓宽课题思路：

AI项目思路

AI技术路线图

陈光德的其他基金

表面修饰对GaN:ZnO固溶体光催化性能的优化研究
  • 批准号：
    21373156
  • 批准年份：
    2013
  • 资助金额：
    80.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
GaN和ZnO半导体及其合金表面与水分子的相互作用研究
  • 批准号：
    61176079
  • 批准年份：
    2011
  • 资助金额：
    48.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
InxGa1-xN半导体材料的发光机理研究
  • 批准号：
    10474078
  • 批准年份：
    2004
  • 资助金额：
    30.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目
III族氮化物载流子动力学研究
  • 批准号：
    19874049
  • 批准年份：
    1998
  • 资助金额：
    9.0 万元
  • 项目类别：
    面上项目

相似国自然基金

{{ item.name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 批准年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}

相似海外基金

{{ item.name }}
{{ item.translate_name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 财政年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了

AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
关闭
close
客服二维码