InxGa1-xN半导体材料的发光机理研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:10474078
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:30.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:A2002.凝聚态物质力热光电性质
- 结题年份:2007
- 批准年份:2004
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2005-01-01 至2007-12-31
- 项目参与者:苑进社; 颜国君; 竹有章; 王瑞敏; 谢伦军;
- 关键词:
项目摘要
本项目主要采用超快时间分辨光致发光光谱学方法对InxGa1-xN合金及多量子阱材料的发光特性进行实验研究,并配合吸收光谱测量及用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描隧道显微镜等对InxGa1-xN半导体材料进行微区结构、成份等的分析和理论上对InxGa1-xN合金中光激发载流子扩散系数的计算等,弄清InxGa1-xN半导体材料的发光机理。实验上将对不同In含量样品材料不同微区的光致发光谱的温度特性、光激发强度特性等进行系统的测量,并将采用频率上变换方法对InxGa1-xN中光激发载流子的时间特性等动力学过程进行研究。本项目属于应用基础性研究,旨在揭示InxGa1-xN半导体材料的微观发光机理。鉴于InxGa1-xN广阔的应用背景,本项目的研究不仅在学术上有重要的价值,而且研究成果对III族氮化物材料的生长、器件设计及应用有着重要的指导意义。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(23)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(2)
专利数量(0)
MOCVD生长的GaN和GaN∶Mg薄膜的
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:发光学报,26(2):299-232,2005
- 影响因子:--
- 作者:王瑞敏;陈光德
- 通讯作者:陈光德
磷化铟纳米晶的制备及光学性质研
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:应用光学,28(2):0187-0190,2007
- 影响因子:--
- 作者:王红理;王东;陈光德;刘晖
- 通讯作者:刘晖
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- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:物理学进展, 2005, 25(2):142-151(EI)
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- 作者:唐远河;张淳民;陈光德;贺健
- 通讯作者:贺健
纤锌矿结构ZnO、AlN、GaN自发极化及压电系数的第一性原理计算
- DOI:--
- 发表时间:2014
- 期刊:陕西师范大学学报(自然科学版)
- 影响因子:--
- 作者:牛海波;陈光德;耶红刚
- 通讯作者:耶红刚
基于洛伦兹线型极光的上层大气风
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:光学学报, 2005, 25 (6): 721-725(EI)
- 影响因子:--
- 作者:唐远河;张淳民;贺健;陈光德
- 通讯作者:陈光德
纤锌矿结构ZnO、AlN、GaN自发极化及压电系数的第一性原理计算
- DOI:--
- 发表时间:2014
- 期刊:陕西师范大学学报(自然科学版)
- 影响因子:--
- 作者:牛海波;陈光德;耶红刚
- 通讯作者:耶红刚
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