Band Engineering of Dirac Materials for Device Applications

用于设备应用的狄拉克材料能带工程

基本信息

  • 批准号:
    RGPIN-2016-04793
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.6万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2017-01-01 至 2018-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This research proposes to develop a scalable method with less complexity to modulate the band structure of two dimensional (2D) Dirac materials including graphene, silicene, and transition metal dichalcogenides for applications in electronics and energy technologies. Patterned decoration of 2D Dirac materials with metallic nanostructures or polymer molecules will be explored as an effective mean to tune the energy band gap in selected areas of 2D Dirac systems while preserving their intrinsic electrical and optical properties. The characterization of detailed electronic structure for the band-engineered materials will be conducted using X-ray absorption and emission spectroscopy at the Canadian Light Source to shed light on the mechanism behind the opening of band gap in 2D materials by surface modification. These band-engineered 2D Dirac materials will ultimately be used to produce high performance transistor and solar cell devices. The quantitative analysis of the device operation parameters (for example, carrier mobility and on/off ration for transistor devices and energy conversion efficiency for solar cell devices) with respect to the surface coverage and type of decorating materials will be conducted in order to achieve the optimized device performance.
这项研究建议开发一种具有较低复杂性的可扩展方法,以调节二维(2D)狄拉克材料的带结构,包括石墨烯,硅和过渡金属二北核化元素,以应用于电子和能量技术。具有金属纳米结构或聚合物分子的2D狄拉克材料的图案装饰将被探讨为有效的手段,以调整2D Dirac系统选定区域的能量带隙,同时保留其内在的电气和光学特性。将使用X射线吸收和加拿大光源的X射线吸收和发射光谱进行详细的电子结构的表征,以通过表面修饰在2D材料中打开带隙的机理。这些频带工程的2D Dirac材料最终将用于生产高性能晶体管和太阳能电池设备。相对于表面覆盖范围和装饰材料的类型,以实现优化的设备性能,对设备操作参数的定量分析(例如,晶体管设备的载体迁移率以及太阳能电池设备的能量转换效率)的定量分析。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Chang, GapSoo其他文献

Chang, GapSoo的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Chang, GapSoo', 18)}}的其他基金

Band Engineering of Dirac Materials for Device Applications
用于设备应用的狄拉克材料能带工程
  • 批准号:
    RGPIN-2016-04793
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Band Engineering of Dirac Materials for Device Applications
用于设备应用的狄拉克材料能带工程
  • 批准号:
    RGPIN-2016-04793
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Band Engineering of Dirac Materials for Device Applications
用于设备应用的狄拉克材料能带工程
  • 批准号:
    RGPIN-2016-04793
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Band Engineering of Dirac Materials for Device Applications
用于设备应用的狄拉克材料能带工程
  • 批准号:
    RGPIN-2016-04793
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Development of high spin-polarization spintronic devices based on organic molecular semiconductors
基于有机分子半导体的高自旋极化自旋电子器件的开发
  • 批准号:
    288222-2011
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Development of high spin-polarization spintronic devices based on organic molecular semiconductors
基于有机分子半导体的高自旋极化自旋电子器件的开发
  • 批准号:
    288222-2011
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Development of high spin-polarization spintronic devices based on organic molecular semiconductors
基于有机分子半导体的高自旋极化自旋电子器件的开发
  • 批准号:
    288222-2011
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Development of high spin-polarization spintronic devices based on organic molecular semiconductors
基于有机分子半导体的高自旋极化自旋电子器件的开发
  • 批准号:
    288222-2011
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Development of high spin-polarization spintronic devices based on organic molecular semiconductors
基于有机分子半导体的高自旋极化自旋电子器件的开发
  • 批准号:
    288222-2011
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Development of inorganic/organic-based diluted magnetic semiconductors for spin-polarized transistors
用于自旋极化晶体管的无机/有机基稀磁半导体的开发
  • 批准号:
    288222-2007
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual

相似国自然基金

跨区域调水工程与区域经济增长:效应测度、机制探究与政策建议
  • 批准号:
    72373114
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    40 万元
  • 项目类别:
    面上项目
界面分子工程构筑高效稳定的DJ-2D/3D杂化钙钛矿太阳能电池
  • 批准号:
    52363026
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    33 万元
  • 项目类别:
    地区科学基金项目
基于CPTU原位测试的污染场地土-膨润土隔离墙工程特性评价及防渗性能辨识研究
  • 批准号:
    42302320
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于肿瘤微环境乳酸控制的纳米杂合工程菌精准指导CD47纳米抗体用于结肠癌免疫治疗研究
  • 批准号:
    32301187
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于晶粒取向工程的细晶压电陶瓷驱动器研究
  • 批准号:
    52302154
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

Band Engineering of Dirac Materials for Device Applications
用于设备应用的狄拉克材料能带工程
  • 批准号:
    RGPIN-2016-04793
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Theoretical Study of Spintronics Devices Based on Two-Dimensional Materials
基于二维材料的自旋电子器件理论研究
  • 批准号:
    20J22909
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Band Engineering of Dirac Materials for Device Applications
用于设备应用的狄拉克材料能带工程
  • 批准号:
    RGPIN-2016-04793
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Band Engineering of Dirac Materials for Device Applications
用于设备应用的狄拉克材料能带工程
  • 批准号:
    RGPIN-2016-04793
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Band Engineering of Dirac Materials for Device Applications
用于设备应用的狄拉克材料能带工程
  • 批准号:
    RGPIN-2016-04793
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1.6万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了