Passivation de dispositifs photoniques haute performance

高级性能光子装置钝化

基本信息

  • 批准号:
    355620-2008
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.42万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2012-01-01 至 2013-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Pour atteindre plus de performance, la photonique basée sur les semiconducteurs III-V s'oriente vers des technologies de plus en plus miniaturisées pour lesquels le ratio surface/volume devient important. La grande densité des défauts naturellement présents sur la surface de ces matériaux, ajoutée aux défauts introduits par certaines étapes de la fabrication (la gravure ou le clivage, par exemple) devient excessive au point de compromettre la fiabilité et les performances des dispositifs. Ce programme de recherche se propose de contribuer à minimsier la densité des états électroniques associée à ces défauts. Une technologie de passivation bien adaptée sera développée et permettra d'aider à l'émergence à l'échelle industrielle de certains dispositifs et de circuits des prochaines générations de la photonique.
在性能和性能方面,半导体 III-V 方向的光子基础以及表面/体积比偏差的微型化技术非常重要。某些制造工艺(例如凹版印刷或凹凸印刷)会导致钝化技术的不稳定性和性能的过度偏差。它适用于某些光子代链的设备和电路的开发和辅助工业领域的发展。

项目成果

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Jaouad, Abdelatif其他文献

Silicon nitride nanotemplate fabrication using inductively coupled plasma etching process
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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  • DOI:
    10.1109/jphotov.2012.2198793
  • 发表时间:
    2012-07-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Aimez, Vincent

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Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
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    RGPIN-2020-05785
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.42万
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    Discovery Grants Program - Individual
Procédés de passivation pour les composants électroniques III-N/III-V et pour les dispositifs quantiques
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    RGPIN-2020-05785
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  • 资助金额:
    $ 1.42万
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    RGPIN-2020-05785
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    2019
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    RGPIN-2015-05007
  • 财政年份:
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Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
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  • 批准号:
    RGPIN-2015-05007
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 1.42万
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    RGPIN-2015-05007
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    2015
  • 资助金额:
    $ 1.42万
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    RGPIN-2020-05785
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    2022
  • 资助金额:
    $ 1.42万
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  • 批准号:
    RGPIN-2020-05785
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 1.42万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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III-N/III-V 电子组合物钝化过程和量子配置
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    RGPIN-2015-05007
  • 财政年份:
    2018
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    $ 1.42万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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知道了