Couches antireflets/passivation pour les sondes thermiques à base de semiconducteurs III-V pour les applications à forts champs magnétiques
热探测器的抗反射/钝化和应用的半导体 III-V 底座 à 冠军堡垒
基本信息
- 批准号:520644-2017
- 负责人:
- 金额:$ 1.82万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Engage Grants Program
- 财政年份:2017
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:2017-01-01 至 2018-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
La mesure de la température de manière précise est critique pour certaines applications médicales, tel que lestraitements et les analyses par imagerie à résonance magnétique (IRM). Or, les sondes thermiques standardstelles que les RTD et les thermocouples ne sont pas compatibles avec les applications destinées à fonctionnerdans des forts champs magnétiques. Actuellement, les appareils IRM utilisent des champs élevés de l'ordre de1.5 Tesla, et la tendance va vers des champs plus élevés (3 Tesla) afin d'améliorer la résolution des images. Lacompagnie Opsens Medical a déjà développé des sondes thermiques à fibre optique basées sur le principe de lavariation de la bande interdite de GaAs en fonction de la température et qui sont actuellement utilisées pourdes champs allant jusqu'à 1.5 Tesla. Pour réaliser des sondes thermiques capables de fonctionner à des champsmagnétiques encore plus élevés, Opsens propose de remplacer le cristal de GaAs par une membrane desemiconducteurs III-V obtenue par épitaxie. La réalisation de ce dispositif, est bloquée par le fait que laréponse spectrale de ces membranes présentent des grandes oscillations au voisinage du seuil d'absorption(~890 nm) de GaAs, or c'est cette région qui sert pour la mesure de la température. Dans ce projet, on proposede développer par PECVD des nouveaux matériaux qui auront des propriétés optiques spécifiques quipermettent de réaliser des couches antireflets pour les sondes thermiques à base de membrane GaAs etpermettant de réduire la réflectance tout en enlevant les oscillations du Fabry Perrot dans la bande 880-900 nm.
DeManièrePréciseEST批评将某些应用程序倒入MédicaleserésonanceMagnétique(irm)。 L'Ordre de1.5趋势va Vers des Champs PlusÉlevés(3 Tesla)Afind'AméliorererlaSulation desdéjàdévelvepéDessondes -des sondes - </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> </s> i SONT ACTUELEMENTULITILEMENEPERISéesPourdesChamps AllantJusqu'à1.5Tesla Réaliser des deskapableS Capables de Fonctionner à des desences desks des ChampsMagnétique Plus élevés, Opsens Propose de Ristal de Gaas Par UNE MEMBRANE DESEMICONDUCTEURS III-v Obtenue PAREX IE. La Réalization de Dispositif, EST Bloquée Parépone Spectrale de Ces Membranes Présentent desert Des OSCILLATIONS AU VOISINAGE use d'吸收(〜890 nm)de gaas,或c'stterégionqui sert por la sesure de la te latempéritation。 De Membrane gaas eTpermettant deréduirelaréduiretout unlevant les振荡du fabry perrot dan la bande 880-900 nm。
项目成果
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专著数量(0)
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专利数量(0)
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