Couches antireflets/passivation pour les sondes thermiques à base de semiconducteurs III-V pour les applications à forts champs magnétiques

热探测器的抗反射/钝化和应用的半导体 III-V 底座 à 冠军堡垒

基本信息

  • 批准号:
    520644-2017
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.82万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    Engage Grants Program
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2017-01-01 至 2018-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

La mesure de la température de manière précise est critique pour certaines applications médicales, tel que lestraitements et les analyses par imagerie à résonance magnétique (IRM). Or, les sondes thermiques standardstelles que les RTD et les thermocouples ne sont pas compatibles avec les applications destinées à fonctionnerdans des forts champs magnétiques. Actuellement, les appareils IRM utilisent des champs élevés de l'ordre de1.5 Tesla, et la tendance va vers des champs plus élevés (3 Tesla) afin d'améliorer la résolution des images. Lacompagnie Opsens Medical a déjà développé des sondes thermiques à fibre optique basées sur le principe de lavariation de la bande interdite de GaAs en fonction de la température et qui sont actuellement utilisées pourdes champs allant jusqu'à 1.5 Tesla. Pour réaliser des sondes thermiques capables de fonctionner à des champsmagnétiques encore plus élevés, Opsens propose de remplacer le cristal de GaAs par une membrane desemiconducteurs III-V obtenue par épitaxie. La réalisation de ce dispositif, est bloquée par le fait que laréponse spectrale de ces membranes présentent des grandes oscillations au voisinage du seuil d'absorption(~890 nm) de GaAs, or c'est cette région qui sert pour la mesure de la température. Dans ce projet, on proposede développer par PECVD des nouveaux matériaux qui auront des propriétés optiques spécifiques quipermettent de réaliser des couches antireflets pour les sondes thermiques à base de membrane GaAs etpermettant de réduire la réflectance tout en enlevant les oscillations du Fabry Perrot dans la bande 880-900 nm.
应用程序的标准应用程序应以医疗申请的形式使用,并将应用的标准应用程序以RTD的形式使用。精通,评估是IRM目的的最佳选择。 La Compagnie Opsens医学科学是基于导致GAAS发展的La CompagnieOpsées的原则,这导致了以心态的冠军发展(3特斯拉)。 La Compagnie Opsens医学科学包括建立导致GAAS发展的原则,该原则导致了冠军和冠军AllantJusqu'à1.5Tesla的发展。该公司已经建立了广泛的服务,包括建立了一种新的GAA系统,GAAS是美国不可用的一种服务形式。它是一种服务形式,不是公司保护公司免受新服务系统的努力的一部分。该提议是为了促进世界的传播,并在某种程度上很难理解传播的传播的重要性,并且很难理解传播的重要性。

项目成果

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数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Jaouad, Abdelatif其他文献

Silicon nitride nanotemplate fabrication using inductively coupled plasma etching process
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  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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  • 批准号:
    RGPIN-2020-05785
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 1.82万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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  • 批准号:
    RGPIN-2020-05785
  • 财政年份:
    2021
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    $ 1.82万
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  • 批准号:
    RGPIN-2020-05785
  • 财政年份:
    2020
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    $ 1.82万
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    Discovery Grants Program - Individual
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    539210-2019
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    2019
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    $ 1.82万
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  • 批准号:
    RGPIN-2015-05007
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 1.82万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
  • 批准号:
    RGPIN-2015-05007
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 1.82万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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  • 批准号:
    RGPIN-2015-05007
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 1.82万
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  • 批准号:
    RGPIN-2015-05007
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 1.82万
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Passivation plasma de dispositifs électroniques et optoélectroniques à base de nitrure de gallium et des semiconducteurs III-V
电子和光电处置 à 氮化镓基和半导体 III-V 的钝化等离子体
  • 批准号:
    RGPIN-2015-05007
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 1.82万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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高级性能光子装置钝化
  • 批准号:
    355620-2008
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 1.82万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
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