Compact modeling of deep-submicron silicon-on-insulator (SOI) complementary metal-oxide-silicon (CMOS) devices for low-voltage very large scale integration (VLSI) applications
适用于低压超大规模集成 (VLSI) 应用的深亚微米绝缘体上硅 (SOI) 互补金属氧化物硅 (CMOS) 器件的紧凑建模
基本信息
- 批准号:238658-2001
- 负责人:
- 金额:$ 3.64万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份:2002
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:2002-01-01 至 2003-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
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项目成果
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