>2um InP- and Si-based InAs(Sb) quantum dot materials and devices.
>2um InP 和 Si 基 InAs(Sb) 量子点材料和器件。
基本信息
- 批准号:2734676
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:英国
- 项目类别:Studentship
- 财政年份:2022
- 资助国家:英国
- 起止时间:2022 至 无数据
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Mid-infrared semiconductor lasers with emission wavelength of 2-2.5um have been recognized as a promising technology in many applications, such as molecular spectroscopy, gas monitoring, and medical diagnostics. InP- and Si-based InAs(Sb) quantum dot materials and devices will provide a sophisticated solution for mid-infrared optical sources.
发射波长为2-2.5um的中红外半导体激光器在许多应用中被认为是一种有前途的技术,例如分子光谱、气体监测和医疗诊断。 InP 和 Si 基 InAs(Sb) 量子点材料和器件将为中红外光源提供复杂的解决方案。
项目成果
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