The Physics and Engineering of Oxide Semiconductors for Large-Area CMOS
大面积 CMOS 氧化物半导体的物理与工程
基本信息
- 批准号:EP/M013006/1
- 负责人:
- 金额:$ 50.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:英国
- 项目类别:Research Grant
- 财政年份:2015
- 资助国家:英国
- 起止时间:2015 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前,GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要,但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。
项目成果
期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Tail-states induced semiconductor-toconductor like transition under sub-bandgap light excitation in the zinc-tin-oxide photothinfilm transistors
亚带隙光激发下锌锡氧化物光薄膜晶体管尾态诱导半导体到导体的转变
- DOI:10.48550/arxiv.2009.08714
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Dhara S
- 通讯作者:Dhara S
Effects of post-deposition vacuum annealing on film characteristics of p-type Cu2O and its impact on thin film transistor characteristics
- DOI:10.1063/1.4965848
- 发表时间:2016-10-24
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Han, Sanggil;Niang, Kham M.;Flewitt, Andrew J.
- 通讯作者:Flewitt, Andrew J.
Threshold Voltage Compensation Error in Voltage Programmed AMOLED Displays
- DOI:10.1109/jdt.2016.2530784
- 发表时间:2016-06-01
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Bagheri, Mojtaba;Cheng, Xiang;Nathan, Arokia
- 通讯作者:Nathan, Arokia
Spectroscopic ellipsometry characterization of ZnO:Sn thin films with various Sn composition deposited by remote-plasma reactive sputtering
- DOI:10.1016/j.apsusc.2016.10.169
- 发表时间:2017-11-01
- 期刊:
- 影响因子:6.7
- 作者:Janicek, Petr;Niang, Kham M.;Flewitt, Andrew J.
- 通讯作者:Flewitt, Andrew J.
Tail state mediated conduction in zinc tin oxide thinfilm phototransistors under below bandgap optical excitation.
- DOI:10.1038/s41598-021-98339-4
- 发表时间:2021-09-24
- 期刊:
- 影响因子:4.6
- 作者:Dhara S;Niang KM;Flewitt AJ;Nathan A;Lynch SA
- 通讯作者:Lynch SA
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- 影响因子:0
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