Near infrared single photon detection using Ge-on-Si heterostructures
使用 Ge-on-Si 异质结构进行近红外单光子检测
基本信息
- 批准号：EP/H051899/1
- 负责人：
- 金额：$ 34.03万
- 依托单位：
- 依托单位国家：英国
- 项目类别：Research Grant
- 财政年份：2010
- 资助国家：英国
- 起止时间：2010 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ge-on-Si Single-Photon Avalanche Diode Detectors: Design, Modeling, Fabrication, and Characterization at Wavelengths 1310 and 1550 nm
- DOI：10.1109/ted.2013.2282712
- 发表时间：2013-10
- 期刊：
- 影响因子：3.1
- 作者：R. Warburton;G. Intermite;M. Myronov;P. Allred;D. Leadley;K. Gallacher;D. Paul;N. Pilgrim;L. Lever;Z. Ikonić;R. Kelsall;E. Huante-Ceron;A. Knights;G. Buller
- 通讯作者：R. Warburton;G. Intermite;M. Myronov;P. Allred;D. Leadley;K. Gallacher;D. Paul;N. Pilgrim;L. Lever;Z. Ikonić;R. Kelsall;E. Huante-Ceron;A. Knights;G. Buller
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