Study of Atomic Trapping Mechanisms on Silicon Surfaces

硅表面原子捕获机制研究

基本信息

  • 批准号:
    23K03270
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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須藤 彰三其他文献

高品位H: Si(111)1×1作成法と表面フォノン
高质量H: Si(111) 1×1生成方法和表面声子
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    加藤大樹;田岡琢巳;西片督;佐崎元;山田太郎;R. Czajka; A. Wawro; 中島一雄;粕谷厚生;須藤 彰三
  • 通讯作者:
    須藤 彰三
量子アニーリングの基礎
量子退火的基础知识
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    西森 秀稔;大関 真之;須藤 彰三;岡 真
  • 通讯作者:
    岡 真
Thermal Reaction of Iron with a Si(111) Vicinal Surface: Surface Ordering and Growth of CsCl-type Iron Silicide
铁与 Si(111) 邻位表面的热反应:CsCl 型硅化铁的表面有序化和生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2024-09-13
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    須藤 彰三
  • 通讯作者:
    須藤 彰三
Si(111)7x7表面で原子数に依存して成長する(Ag)nのSTM解析
根据原子数量在 Si(111)7x7 表面上生长的 (Ag)n 的 STM 分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    須藤 彰三
  • 通讯作者:
    須藤 彰三
量子アニーリングの基礎
量子退火的基础知识
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    西森 秀稔;大関 真之;須藤 彰三;岡 真
  • 通讯作者:
    岡 真

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{{ truncateString('須藤 彰三', 18)}}的其他基金

金属単結晶における表面電子状態の光学的研究
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  • 批准号:
    62740162
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
曲率流に対する閾値型近似アルゴリズムとそれを用いた広義解の性質の研究
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  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 3万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Creation of flame spray melting modeling method with low Peclet number field for metallic and inorganic 3D printing
创建用于金属和无机3D打印的低佩克莱数场火焰喷射熔融建模方法
  • 批准号:
    22K03953
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
A Study of Water-Spread Polymer Micelles on Water Surface: Toward Developing a First-in-Kind Polymer Lung Surfactant Therapy
水面上水铺展聚合物胶束的研究:开发首创聚合物肺表面活性剂疗法
  • 批准号:
    2211843
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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