Single photon sources based on two-dimensional semiconductors

基于二维半导体的单光子源

基本信息

  • 批准号:
    21K18930
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-07-09 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Continuous Fermi level tuning of Nb-doped WSe2 under an external electric field
外电场下 Nb 掺杂 WSe2 的连续费米能级调谐
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac3726
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Hisama Kaoru;Gao Yanlin;Maruyama Mina;Kitaura Ryo;Okada Susumu
  • 通讯作者:
    Okada Susumu
An exploration of mix-dimensional systems
混合维度系统的探索
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kitaura; Ryo
  • 通讯作者:
    Ryo
Trion confinement in monolayer MoSe2 by carbon nanotube local gating
碳纳米管局部选通将 Trion 限制在单层 MoSe2 中
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/aca642
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Hotta Takato;Nakajima Haruna;Chiashi Shohei;Inoue Taiki;Maruyama Shigeo;Watanabe Kenji;Taniguchi Takashi;Kitaura Ryo
  • 通讯作者:
    Kitaura Ryo
Identification of the position of piezoelectric polarization at the MoS2/metal interface
MoS2/金属界面压电极化位置的识别
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/ac3d1f
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Umeda Masaya;Higashitarumizu Naoki;Kitaura Ryo;Nishimura Tomonori;Nagashio Kosuke
  • 通讯作者:
    Nagashio Kosuke
Heterostructures based on two-dimensional semiconductors
基于二维半导体的异质结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kitaura; Ryo
  • 通讯作者:
    Ryo
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  • 作者:
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Kitaura Ryo其他文献

Formation of a one-dimensional hole channel in MoS2 by structural corrugation
通过结构波纹在MoS2中形成一维孔道
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/acaae0
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Gao Yanlin;Nakajima Haruna;Maruyama Mina;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Kitaura Ryo;Okada Susumu
  • 通讯作者:
    Okada Susumu
Enhanced Exciton?Exciton Collisions in an Ultraflat Monolayer MoSe2 Prepared through Deterministic Flattening
通过确定性平坦化制备的超平坦单层 MoSe2 中的增强激子?激子碰撞
  • DOI:
    10.1021/acsnano.0c08642
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    17.1
  • 作者:
    Hotta Takato;Ueda Akihiko;Higuchi Shohei;Okada Mitsuhiro;Shimizu Tetsuo;Kubo Toshitaka;Ueno Keiji;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Kitaura Ryo
  • 通讯作者:
    Kitaura Ryo
Continuous Fermi level tuning of Nb-doped WSe2 under an external electric field
外电场下 Nb 掺杂 WSe2 的连续费米能级调谐
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac3726
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Hisama Kaoru;Gao Yanlin;Maruyama Mina;Kitaura Ryo;Okada Susumu
  • 通讯作者:
    Okada Susumu
Exciton diffusion in hBN-encapsulated monolayer MoSe2
六方氮化硼封装的单层 MoSe2 中的激子扩散
  • DOI:
    10.1103/physrevb.102.115424
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.7
  • 作者:
    Hotta Takato;Higuchi Shohei;Ueda Akihiro;Shinokita Keisuke;Miyauchi Yuhei;Matsuda Kazunari;Ueno Keiji;Taniguchi Takashi;Watanabe Kenji;Kitaura Ryo
  • 通讯作者:
    Kitaura Ryo
Systematic Study of Photoluminescence Enhancement in Monolayer Molybdenum Disulfide by Acid Treatment
酸处理增强单层二硫化钼光致发光的系统研究
  • DOI:
    10.1021/acs.langmuir.8b01425
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.9
  • 作者:
    Kiriya Daisuke;Hijikata Yuh;Pirillo Jenny;Kitaura Ryo;Murai Akihiko;Ashida Atsushi;Yoshimura Takeshi;Fujimura Norifumi
  • 通讯作者:
    Fujimura Norifumi

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  • DOI:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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Exploration of physics of two-dimensional superstructures
二维上层建筑物理探索
  • 批准号:
    20H02566
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of high-quality atomic-layer heterostructures and novel photonic devices
高质量原子层异质结构和新型光子器件的制造
  • 批准号:
    16H03825
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Direct observation of molecules in liquids with graphene-liquid cells
用石墨烯液体细胞直接观察液体中的分子
  • 批准号:
    25708002
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

相似国自然基金

Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
  • 批准号:
    10774081
  • 批准年份:
    2007
  • 资助金额:
    45.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

3次元積層グラフェンの層間カップリング抑制による新規ナノ炭素構造体創成
通过抑制三维堆叠石墨烯的层间耦合创建新型纳米碳结构
  • 批准号:
    21H01763
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of synthesis techniques to create a variety of compound nanosheet bundles and their applications to energy devices
开发合成技术以创建各种化合物纳米片束及其在能源设备中的应用
  • 批准号:
    20K04560
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Exploration of physics of two-dimensional superstructures
二维上层建筑物理探索
  • 批准号:
    20H02566
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Synthesis of high quality single crystals for sience of Boron Nitride
氮化硼科学用高质量单晶的合成
  • 批准号:
    20H00354
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Ultrafast and efficient radiative decay due to coupling of light and multi-componet excitons in semiconductor single crystal thin films
半导体单晶薄膜中光与多组分激子的耦合导致超快且高效的辐射衰减
  • 批准号:
    19K03687
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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知道了