Development of synthesis techniques to create a variety of compound nanosheet bundles and their applications to energy devices

开发合成技术以创建各种化合物纳米片束及其在能源设备中的应用

基本信息

  • 批准号:
    20K04560
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Fine Structural and Photoluminescence Properties of Mg2Si Nanosheet Bundles
Mg2Si 纳米片束的精细结构和光致发光特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tomoya Koga; Ryo Tamaki; Xiang Meng; Yushin Numazawa; Yosuke Shimura; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada; Akihiro Ishida;Hirokazu Tatsuoka
  • 通讯作者:
    Hirokazu Tatsuoka
熱反応堆積法によるシリサイド半導体の作製
热反应沉积法制备硅化物半导体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    立岡浩一
  • 通讯作者:
    立岡浩一
Si基板上に作製したMg2Siナノシート束の微細構造
Si 基底上 Mg2Si 纳米片束的微观结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    古賀友也;沼澤有信;Xiang Meng;志村洋介;立岡浩一
  • 通讯作者:
    立岡浩一
CaSi2粉末のMnCl2/NH4Cl雰囲気処理により作製したMnSi1.7/Siナノシート束の微細構造
CaSi2粉末在MnCl2/NH4Cl气氛中处理制备的MnSi1.7/Si纳米片束的微观结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    伊藤聖悟;西川勇大;沼澤有信;志村洋介;高橋尚久;立岡浩一
  • 通讯作者:
    立岡浩一
Fine structural and photoluminescence properties of Mg2Si nanosheet bundles rooted on Si substrates
硅基底上 Mg2Si 纳米片束的精细结构和光致发光特性
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/abdf23
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tomoya Koga; Ryo Tamaki; Xiang Meng; Yushin Numazawa; Yosuke Shimura; Nazmul Ahsan; Yoshitaka Okada; Akihiro Ishida;Hirokazu Tatsuoka
  • 通讯作者:
    Hirokazu Tatsuoka
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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SiSn mediated formation of polycrystalline SiGeSn
SiSn 介导的多晶 SiGeSn 的形成
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Shimura Yosuke;Okado Masaki;Motofuji Tokimune;Tatsuoka Hirokazu
  • 通讯作者:
    Tatsuoka Hirokazu
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    10.35848/1347-4065/ac3a94
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    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Shimura Yosuke;Okado Masaki;Motofuji Tokimune;Tatsuoka Hirokazu
  • 通讯作者:
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    2017
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    $ 2.66万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    $ 2.66万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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    $ 2.66万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    17H02745
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    2017
  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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