Development of basic process for fabrication of large single crystals of hexagonal boron nitride in wafer shape

晶圆状大尺寸六方氮化硼单晶制造基本工艺的开发

基本信息

批准号：
18K04231
负责人：
Hara Kazuhiko
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（12）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

LUMINESCENCE SPECTRA OF HEXAGONAL BN THIN FILMS GROWN BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION ON A c-PLANE Al2O3 SUBSTRATE

c 面 Al2O3 基板上化学气相沉积六方氮化硼薄膜的发光光谱

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. F. Chichibu; N. Umehara; K. Shima; K. Kojima;K. Hara
通讯作者：
K. Hara

c面サファイアおよびSi (111)基板上への六方晶BN薄膜のCVD成長

c 面蓝宝石和 Si (111) 衬底上 CVD 生长六方 BN 薄膜

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
名嘉眞朝泰・松下一貴・渡邊泰良・小南裕子・原　和彦
通讯作者：
名嘉眞朝泰・松下一貴・渡邊泰良・小南裕子・原　和彦

Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate

c面蓝宝石衬底上CVD生长六方氮化硼发光性能的改善

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazuhiko Hara; Naoki Umehara; Kohei Shima; Kazunobu Kojima;Shigefusa F. Chichibu
通讯作者：
Shigefusa F. Chichibu

コールドウォール反応管を用いた減圧化学気相法による c面サファイア基板上への六方晶窒化ホウ素薄膜の成長

冷壁反应管减压化学气相法在c面蓝宝石衬底上生长六方氮化硼薄膜

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
渡邊泰良; 松下一貴; 田中佑樹; 吉岡陸; 増田克仁 ; 小南裕子; 原和彦
通讯作者：
原和彦

Low-pressure CVD and characterization of hexagonal boron nitride thin films

六方氮化硼薄膜的低压CVD及表征

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazuhiko Hara; Naoki Umehara
通讯作者：
Naoki Umehara

DOI：
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作者：
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Hara Kazuhiko其他文献

Design of a Segmented LGAD Sensor for the Development of a 4-D Tracking Detector

用于开发 4-D 跟踪探测器的分段 LGAD 传感器设计

DOI：
10.22323/1.373.0057
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Wada Sayaka;Onaru Kyoji;Hara Kazuhiko;Unno Yoshinobu;Nakamura Koji
通讯作者：
Nakamura Koji

R&D status of SOI-based pixel detector with 3D stacking readout

右

DOI：
10.1016/j.nima.2018.08.089
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tsuboyama Toru;Ono Shun;Yamada Miho;Arai Yasuo;Togawa Manabu;Kurachi Ikuo;Ikegami Yoichi;Hara Kazuhiko;Ishikawa Akimasa;Ikebe Masayuki;Motoyoshi Makoto
通讯作者：
Motoyoshi Makoto

Visualizing hidden electron trap levels in Gd3Al2Ga3O12:Ce crystals using a mid-infrared free-electron laser

使用中红外自由电子激光可视化 Gd3Al2Ga3O12:Ce 晶体中隐藏的电子陷阱能级

DOI：
10.1063/1.5008632
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
4
作者：
Kitaura Mamoru;Zen Heishun;Kamada Kei;Kurosawa Shunsuke;Watanabe Shinta;Ohnishi Akimasa;Hara Kazuhiko
通讯作者：
Hara Kazuhiko

Nearly temperature-independent ultraviolet light emission intensity of indirect excitons in hexagonal BN microcrystals

六方BN微晶中间接激子的几乎与温度无关的紫外光发射强度

DOI：
10.1063/1.5021788
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
3.2
作者：
Chichibu Shigefusa F.;Ishikawa Youichi;Kominami Hiroko;Hara Kazuhiko
通讯作者：
Hara Kazuhiko

Development of monolithic SOI pixel sensors capable of fine measurements of space and time

开发能够精细测量空间和时间的单片 SOI 像素传感器

DOI：
10.1016/j.nima.2020.164417
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Murayama Hitoshi;Hara Kazuhiko;Yamauchi Hiroki;Abe Ryuhei;Iwanami Shikie;Watanabe Kevin;Okada Yui;Tsuboyama Toru;Arai Yasuo;Miyoshi Toshinobu;Kurachi Ikuo;Haba Junji;Togawa Manabu;Ikegami Yoichi;Nishimura Ryutaro;Ishikawa Akimasa;Ono Shun;Li Taohan;Yamada
通讯作者：
Yamada