Development of zero TCR film using semiconductor-metal transition

利用半导体-金属过渡开发零TCR薄膜

基本信息

  • 批准号:
    21K18805
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.08万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-07-09 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Electrical Conduction Mechanism of β-MnTe Thin Film with Wurtzite-Type Structure Using Radiofrequency Magnetron Sputtering
射频磁控溅射纤锌矿型β-MnTe薄膜的导电机制
  • DOI:
    10.1002/pssr.202100641
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Mihyeon Kim; Shunsuke Mori; Yi Shuang; Shogo Hatayama; Daisuke Ando; Yuji Sutou
  • 通讯作者:
    Yuji Sutou
Cu2GeTe3の半導体/金属相変化を利用した比抵抗の低温度係数化
利用 Cu2GeTe3 的半导体/金属相变实现低电阻率温度系数
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    皆瀬陽平; 双逸; 安藤大輔; 須藤祐司
  • 通讯作者:
    須藤祐司
高抵抗Fe-Cr-Al-Co合金の抵抗温度係数に及ぼす組成および熱処理条件の影響
成分和热处理条件对高阻Fe-Cr-Al-Co合金电阻温度系数的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    監物幸翼;安藤大輔;石田清仁;須藤祐司
  • 通讯作者:
    須藤祐司
リフトオフプロセスによるβ-MnTeフレーク試料の作製と熱量測定
剥离法制备β-MnTe片状样品并进行量热测量
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    森竣祐;須藤祐司
  • 通讯作者:
    須藤祐司
高比抵抗合金
高电阻率合金
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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Sutou Yuji其他文献

PN Diode Properties of N-type Oxide/p-type N-doped Cr2Ge2Te6 and Its Application for Self-selective PCRAM
N型氧化物/p型N掺杂Cr2Ge2Te6的PN二极管特性及其在自选择PCRAM中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shuang Yi;Hatayama Shogo;An Junseop;Hong Jinpyo;Ando Daisuke;Song Yunheub;Sutou Yuji
  • 通讯作者:
    Sutou Yuji
Low resistance-drift characteristics in Cr2Ge2Te6-based phase change memory devices with a high-resistance crystalline phase
具有高电阻晶相的 Cr2Ge2Te6 相变存储器件的低电阻漂移特性
  • DOI:
    10.1016/j.mssp.2021.105961
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.1
  • 作者:
    Hatayama Shogo;Song Yun;Sutou Yuji
  • 通讯作者:
    Sutou Yuji
Deformation twinning and Stress induced Martensitic transformation of Mg alloy
镁合金的形变孪晶和应力诱发马氏体相变
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ando Daisuke;Ogawa Yukiko;Takeuchi Yuta;Sutou Yuji;Koike Junichi
  • 通讯作者:
    Koike Junichi
Improved Ordering of Quasi-Two-Dimensional MoS2 via an Amorphous-to-Crystal Transition Initiated from Amorphous Sulfur-Rich MoS2+x
通过非晶态富硫 MoS2 x 引发的非晶态到晶体转变改进准二维 MoS2 的有序性
  • DOI:
    10.1021/acs.cgd.1c01504
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.8
  • 作者:
    Krbal Milos;Prokop Vit;Prikryl Jan;Pereira Jhonatan Rodriguez;Pis Igor;Kolobov Ale;er V.;Fons Paul J.;Saito Yuta;Hatayama Shogo;Sutou Yuji
  • 通讯作者:
    Sutou Yuji
PN Diode Properties of N-type Oxide/p-type N-doped Cr2Ge2Te6 and Its Application for Self-selective PCRAM
N型氧化物/p型N掺杂Cr2Ge2Te6的PN二极管特性及其在自选择PCRAM中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shuang Yi;Hatayama Shogo;An Junseop;Hong Jinpyo;Ando Daisuke;Song Yunheub;Sutou Yuji
  • 通讯作者:
    Sutou Yuji

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    2024
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    $ 4.08万
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    2024
  • 资助金额:
    $ 4.08万
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  • 批准号:
    24K06912
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.08万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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