A study of contact resistance between phase change material and electrode for next generation PCRAM
下一代PCRAM相变材料与电极接触电阻研究
基本信息
- 批准号：15H04113
- 负责人：
- 金额：$ 10.4万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Impact of contact resistance on memory window in phase-change random access memory (PCRAM)
接触电阻对相变随机存取存储器 (PCRAM) 存储窗口的影响
- DOI：10.1007/s10825-016-0905-3
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：J.S. An; C.M. Choi; S. Shindo; Y. Sutou; Y.W. Kwon; Y.H. Song
- 通讯作者：Y.H. Song
Cr-Ge-Te化合物薄膜の相変化挙動
Cr-Ge-Te化合物薄膜的相变行为
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：畑山 祥吾;進藤 怜史;安藤 大輔;須藤 祐司;小池 淳一
- 通讯作者：小池 淳一
Contact resistivity change of GeCu2Te3 to W electrode by crystallization
GeCu2Te3 与 W 电极晶化过程中接触电阻率的变化
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Shindo; Y. Sutou; J. Koike; Y. Saito
- 通讯作者：Y. Saito
Phase chaneg behaviro of N-doped Cr-Ge-Te film
N掺杂Cr-Ge-Te薄膜的相变行为
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Shunag; S. Hatayama; S. Shindo; D. Ando; Y. Sutou; J. Koike
- 通讯作者：J. Koike
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Sutou Yuji其他文献
PN Diode Properties of N-type Oxide/p-type N-doped Cr2Ge2Te6 and Its Application for Self-selective PCRAM
N型氧化物/p型N掺杂Cr2Ge2Te6的PN二极管特性及其在自选择PCRAM中的应用
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Shuang Yi;Hatayama Shogo;An Junseop;Hong Jinpyo;Ando Daisuke;Song Yunheub;Sutou Yuji - 通讯作者：
Sutou Yuji
Low resistance-drift characteristics in Cr2Ge2Te6-based phase change memory devices with a high-resistance crystalline phase
具有高电阻晶相的 Cr2Ge2Te6 相变存储器件的低电阻漂移特性
- DOI：
10.1016/j.mssp.2021.105961 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：
Hatayama Shogo;Song Yun;Sutou Yuji - 通讯作者：
Sutou Yuji
Deformation twinning and Stress induced Martensitic transformation of Mg alloy
镁合金的形变孪晶和应力诱发马氏体相变
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ando Daisuke;Ogawa Yukiko;Takeuchi Yuta;Sutou Yuji;Koike Junichi - 通讯作者：
Koike Junichi
Improved Ordering of Quasi-Two-Dimensional MoS2 via an Amorphous-to-Crystal Transition Initiated from Amorphous Sulfur-Rich MoS2+x
通过非晶态富硫 MoS2 x 引发的非晶态到晶体转变改进准二维 MoS2 的有序性
- DOI：
10.1021/acs.cgd.1c01504 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：3.8
- 作者：
Krbal Milos;Prokop Vit;Prikryl Jan;Pereira Jhonatan Rodriguez;Pis Igor;Kolobov Ale;er V.;Fons Paul J.;Saito Yuta;Hatayama Shogo;Sutou Yuji - 通讯作者：
Sutou Yuji
PN Diode Properties of N-type Oxide/p-type N-doped Cr2Ge2Te6 and Its Application for Self-selective PCRAM
N型氧化物/p型N掺杂Cr2Ge2Te6的PN二极管特性及其在自选择PCRAM中的应用
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Shuang Yi;Hatayama Shogo;An Junseop;Hong Jinpyo;Ando Daisuke;Song Yunheub;Sutou Yuji - 通讯作者：
Sutou Yuji
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Development of zero TCR film using semiconductor-metal transition
利用半导体-金属过渡开发零TCR薄膜
- 批准号：
21K18805 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Development of d-electron based phase change chalcogenide for next generation non-volatile memory
用于下一代非易失性存储器的基于 d 电子的相变硫属化物的开发
- 批准号：
18H02053 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 批准号：
18H02053 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Ｃｒ－Ｇｅ－Ｔｅ系層状物質の高速相変化機構の解明及び不揮発性メモリへの応用
阐明Cr-Ge-Te层状材料的快速相变机制及其在非易失性存储器中的应用
- 批准号：
17J02967 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Fast and reliable multilevel phase-change memory for practical application
快速可靠的多级相变存储器，适合实际应用
- 批准号：
24686042 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
A study on phase change characteristics of Ge-Cu-Te alloy film for PCRAM
PCRAM用Ge-Cu-Te合金薄膜相变特性研究
- 批准号：
23360297 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
多段相変化型単一合金薄膜を用いた多値記録不揮発性メモリの開発
使用多级相变型单一合金薄膜的多级记录非易失性存储器的开发
- 批准号：
10J05810 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 10.4万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows