Development of novel atomic layer superconductor based on fermiology by spin-resolved ARPES
通过自旋分辨 ARPES 开发基于费米学的新型原子层超导体
基本信息
- 批准号:18H01160
- 负责人:
- 金额:$ 10.48万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Vortex-induced quantum metallicity in the mono-unit-layer superconductor NbSe2
单层超导体 NbSe2 中涡旋诱导的量子金属性
- DOI:10.1103/physrevb.99.220501
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:Ichinokura Satoru;Nakata Yuki;Sugawara Katsuaki;Endo Yukihiro;Takayama Akari;Takahashi Takashi;Hasegawa Shuji
- 通讯作者:Hasegawa Shuji
ディラック半金属候補物質BaMg2Bi2の高分解能ARPES
狄拉克半金属候选 BaMg2Bi2 的高分辨率 ARPES
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高根大地; 久保田雄也; 川上竜平; 加藤剛臣; 坪野竜治; 菅原克明; 中山耕輔; 相馬清吾;出田真一郎; 田中清尚; 北村未歩; 堀場弘司; 組頭広志; 高橋隆; 瀬川耕司; 佐藤宇史
- 通讯作者:佐藤宇史
トポロジカル絶縁体/強磁性体ヘテロ構造のディラック電子状態::高分解能 ARPES
拓扑绝缘体/铁磁异质结构的狄拉克电子态::高分辨率 ARPES
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:加藤剛臣; 伊東直洋; 川上竜平; 久保田雄也; 田口大樹; 坪野竜治; 菅原克明; 相馬清吾; 中山耕輔; 高橋隆; 塩見雄毅; 齊藤英治; 佐藤宇史
- 通讯作者:佐藤宇史
多層VTe2薄膜の擬一次元的電子構造:高分解能ARPES
多层VTe2薄膜的准一维电子结构:高分辨率ARPES
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:川上竜平; 田口大樹; 加藤剛臣; 猿田康朗; 菅原克明; 高橋隆; 佐藤宇史
- 通讯作者:佐藤宇史
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Takahashi Takashi其他文献
Unusual temperature evolution of the band structure of Bi(111) studied by angle-resolved photoemission spectroscopy and density functional theory
用角分辨光电子能谱和密度泛函理论研究Bi(111)能带结构的异常温度演化
- DOI:
10.1103/physrevb.102.085112 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:
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Takahashi Takashi
Signature of band inversion in the antiferromagnetic phase of axion insulator candidate EuIn2As2
轴子绝缘体候选 EuIn2As2 反铁磁相中能带反转的特征
- DOI:
10.1103/physrevresearch.2.033342 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:4.2
- 作者:
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Takahashi Takashi
Pseudogap, Fermi arc, and Peierls-insulating phase induced by 3D?2D crossover in monolayer VSe2
单层 VSe2 中 3D?2D 交叉诱导的赝能隙、费米弧和 Peierls 绝缘相
- DOI:
10.1007/s12274-018-2196-4 - 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:9.9
- 作者:
Umemoto Yuki;Sugawara Katsuaki;Nakata Yuki;Takahashi Takashi;Sato Takafumi - 通讯作者:
Sato Takafumi
Charge order with unusual star-of-David lattice in monolayer NbTe2
单层 NbTe2 中异常大卫星晶格的电荷顺序
- DOI:
10.1103/physrevb.107.l041105 - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:
Taguchi Taiki;Sugawara Katsuaki;Oka Hirofumi;Kawakami Tappei;Saruta Yasuaki;Kato Takemi;Nakayama Kosuke;Souma Seigo;Takahashi Takashi;Fukumura Tomoteru;Sato Takafumi - 通讯作者:
Sato Takafumi
Charge-density wave associated with higher-order Fermi-surface nesting in monolayer VS2
与单层 VS2 中高阶费米面嵌套相关的电荷密度波
- DOI:
10.1038/s41699-023-00395-z - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:9.7
- 作者:
Kawakami Tappei;Sugawara Katsuaki;Oka Hirofumi;Nakayama Kosuke;Yaegashi Ken;Souma Seigo;Takahashi Takashi;Fukumura Tomoteru;Sato Takafumi - 通讯作者:
Sato Takafumi
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Analyses of pathological conditions, pathogenic molecular epidemiology, and antimicrobial resistance in uterine infections due to group A streptococcus
A 族链球菌子宫感染的病理状况、病原分子流行病学和抗菌药物耐药性分析
- 批准号:
15K09578 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 10.48万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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过渡金属二硫属化物原子层薄膜的自旋和角分辨光电子能谱
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22KJ0270 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 10.48万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸化物界面を用いた高効率スピン流電流変換の実証とスピントロニクスデバイスの創出
演示使用氧化物界面的高效自旋电流转换和自旋电子器件的创建
- 批准号:
22KJ0615 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 10.48万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Ⅲ-Ⅴ族半導体量子ドットネットワーク構造の創製と量子デバイスへの応用
III-V族半导体量子点网络结构的创建及其在量子器件中的应用
- 批准号:
22K04196 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 10.48万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
瞬間剥離可能なGaAsエピ層の転位密度低減に向けた層状化合物中間層のステップ制御
层状化合物中间层阶跃控制降低易剥离GaAs外延层位错密度
- 批准号:
22K04957 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 10.48万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
独自低温金属蒸着法による酸化物エレクトロニクスの革新
使用独特的低温金属沉积方法进行氧化物电子学创新
- 批准号:
22K18293 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 10.48万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)