Low-loss vertical-type diamond power MOSFET
低损耗立式钻石功率MOSFET
基本信息
- 批准号:17H02786
- 负责人:
- 金额:$ 11.56万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Inversion channel mobility and interface state density of diamond MOSFET using N-type body with various phosphorus concentrations
使用具有不同磷浓度的 N 型体的金刚石 MOSFET 的反转沟道迁移率和界面态密度
- DOI:10.1063/1.5100328
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Matsumoto Tsubasa;Kato Hiromitsu;Makino Toshiharu;Ogura Masahiko;Takeuchi Daisuke;Yamasaki Satoshi;Inokuma Takao;Tokuda Norio
- 通讯作者:Tokuda Norio
Inversion channel MOSFET on lightly impurity doped n-type diamond
轻掺杂 n 型金刚石上的反型沟道 MOSFET
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Matsumoto; H. Kato; T. Makino; S. Ohmagari; M. Ogura; D. Takeuchi; T. Inokuma; S. Yamasaki;N. Tokuda
- 通讯作者:N. Tokuda
熱化学反応を用いた選択的かつ高速な結晶異方性ダイヤモンドエッチング
利用热化学反应进行选择性和快速晶体各向异性金刚石蚀刻
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:長井 雅嗣;松本 翼;猪熊 孝夫; 徳田 規夫
- 通讯作者:徳田 規夫
Inversion channel diamond MOSFET with lightly phosphorus doped body
具有轻磷掺杂体的反型沟道金刚石 MOSFET
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Matsumoto; H. Kato; T. Makino; M. Ogura; D. Daisuke; T. Inokuma; N. Tokuda; S. Yamasaki
- 通讯作者:S. Yamasaki
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Tokuda Norio其他文献
n-type diamond synthesized with tert-butylphosphine for long spin coherence times of perfectly aligned NV centers
用<i>叔丁基膦合成的<i>n</i>型金刚石可实现完美对准的NV中心的长自旋相干时间
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10.1063/5.0101215 - 发表时间:
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- 影响因子:3.2
- 作者:
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Mizuochi Norikazu
Mechanical damage-free surface planarization of single-crystal diamond based on carbon solid solution into nickel
基于碳固溶镍的单晶金刚石机械损伤表面平坦化
- DOI:
10.1016/j.diamond.2021.108390 - 发表时间:
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- 影响因子:4.1
- 作者:
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Tokuda Norio
Insight into temperature impact of Ta filaments on high-growth-rate diamond (100) films by hot-filament chemical vapor deposition
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2021 - 期刊:
- 影响因子:4.1
- 作者:
Takamori Yue;Nagai Masatsugu;Tabakoya Taira;Nakamura Yuto;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Zhang Xufang;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio - 通讯作者:
Tokuda Norio
Conductive-probe atomic force microscopy and Kelvin-probe force microscopy characterization of OH-terminated diamond (111) surfaces with step-terrace structures
具有阶梯平台结构的 OH 封端金刚石 (111) 表面的导电探针原子力显微镜和开尔文探针力显微镜表征
- DOI:
10.7567/1347-4065/ab1b5c - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Nagai Masatsugu;Yoshida Ryo;Yamada Tatsuki;Tabakoya Taira;Nebel Christoph E.;Yamasaki Satoshi;Makino Toshiharu;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio - 通讯作者:
Tokuda Norio
n-type diamond synthesized with tert-butylphosphine for long spin coherence times of perfectly aligned NV centers
用<i>叔丁基膦合成的<i>n</i>型金刚石可实现完美对准的NV中心的长自旋相干时间
- DOI:
10.1063/5.0101215 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:
Kawase Riku;Kawashima Hiroyuki;Kato Hiromitsu;Tokuda Norio;Yamasaki Satoshi;Ogura Masahiko;Makino Toshiharu;Mizuochi Norikazu - 通讯作者:
Mizuochi Norikazu
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Development of innovative synthesis process of ammonia using diamond
使用金刚石开发创新的氨合成工艺
- 批准号:
17K18980 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 11.56万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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Analyses of carrier transport properties in surface-terminated diamond
表面封端金刚石中载流子输运特性分析
- 批准号:
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火焰燃烧法合成牙科种植体纳米晶金刚石薄膜及合成薄膜的断裂评价
- 批准号:
16K05962 - 财政年份:2016
- 资助金额:
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