Analyses of carrier transport properties in surface-terminated diamond

表面封端金刚石中载流子输运特性分析

基本信息

  • 批准号:
    17K06343
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Carrier transport properties of diamond (111)-(2x1) reconstructed surfaces
金刚石 (111)-(2x1) 重建表面的载流子输运特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Hoshida; H. Satou; X.F. Zhang; T. Matsumoto; S. Yamosaki; N. Tokuda; T. Inokuma.
  • 通讯作者:
    T. Inokuma.
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Inokuma Takao其他文献

Inversion channel MOSFET on heteroepitaxially grown free-standing diamond
异质外延生长的独立式金刚石上的反转沟道 MOSFET
  • DOI:
    10.1016/j.carbon.2020.11.072
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.9
  • 作者:
    Zhang Xufang;Matsumoto Tsubasa;Nakano Yuta;Noguchi Hitoshi;Kato Hiromitsu;Makino Toshiharu;Takeuchi Daisuke;Ogura Masahiko;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Inokuma Takao;Tokuda Norio
  • 通讯作者:
    Tokuda Norio
Mechanical damage-free surface planarization of single-crystal diamond based on carbon solid solution into nickel
基于碳固溶镍的单晶金刚石机械损伤表面平坦化
  • DOI:
    10.1016/j.diamond.2021.108390
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.1
  • 作者:
    Sakauchi Kazuto;Nagai Masatsugu;Tabakoya Taira;Nakamura Yuto;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Zhang Xufang;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio
  • 通讯作者:
    Tokuda Norio
Fabrication of inversion p-channel MOSFET with a nitrogen-doped diamond body
氮掺杂金刚石体反型 p 沟道 MOSFET 的制造
  • DOI:
    10.1063/5.0075964
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Matsumoto Tsubasa;Yamakawa Tomoya;Kato Hiromitsu;Makino Toshiharu;Ogura Masahiko;Zhang Xufang;Inokuma Takao;Yamasaki Satoshi;Tokuda Norio
  • 通讯作者:
    Tokuda Norio
Selectively buried growth of heavily B doped diamond layers with step-free surfaces in N doped diamond (1 1 1) by homoepitaxial lateral growth
通过同质外延横向生长在 N 掺杂金刚石 (1 1 1) 中选择性埋入无台阶表面的重 B 掺杂金刚石层
  • DOI:
    10.1016/j.apsusc.2022.153340
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.7
  • 作者:
    Kobayashi Kazuki;Zhang Xufang;Makino Toshiharu;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Yamasaki Satoshi;Nebel Christoph E.;Tokuda Norio
  • 通讯作者:
    Tokuda Norio
Formation of atomically flat hydroxyl-terminated diamond (1?1?1) surfaces via water vapor annealing
通过水蒸气退火形成原子级平坦的羟基封端金刚石 (1?1?1) 表面
  • DOI:
    10.1016/j.apsusc.2018.07.094
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.7
  • 作者:
    Yoshida Ryo;Miyata Daisuke;Makino Toshiharu;Yamasaki Satoshi;Matsumoto Tsubasa;Inokuma Takao;Tokuda Norio
  • 通讯作者:
    Tokuda Norio

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