Growth processes and low-dimensional physical properties on ultrathin high-k materials film fabricated on concave-convex Si surface by spectroscopic observation
光谱观察凹凸硅表面超薄高k材料薄膜的生长过程及低维物理性质
基本信息
- 批准号：17K06030
- 负责人：
- 金额：$ 3.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Initial oxidation processes of ultrathin hafnium film and hafnium disilicide islands on Si(100)-2 × 1 surfaces studied using core-level X-ray photoelectron spectroscopy
使用核心级 X 射线光电子能谱研究 Si(100)-2 × 1 表面超薄铪膜和二硅化铪岛的初始氧化过程
- DOI：10.1016/j.susc.2019.121551
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：Takuhiro Kakiuchi;Hideki Yamasaki;Chie Tsukada;Akitaka Yoshigoe
- 通讯作者：Akitaka Yoshigoe
Initial oxidation process of ultrathin hafnium film on Si(111) surface studied by Hf 4f, Si 2p, and O 1s core-level spectroscopy
Hf 4f、Si 2p、O 1s 核能谱研究Si(111)表面超薄铪膜的初始氧化过程
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takuhiro Kakiuchi; Daisuke Koyama; Akitaka Yoshigoe
- 通讯作者：Akitaka Yoshigoe
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