An realistic improvement of reactor design to enhance ammonia decomposition rate for high quality high In content InGaN MOVPE growth

对反应器设计进行实际改进，以提高氨分解速率，实现高质量高 In 含量 InGaN MOVPE 生长

基本信息

批准号：
16K06260
负责人：
Nitta Shugo
金额：
$ 3万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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In-line NH3 Reactant Analysis on Nitride Semiconductor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy via High-Resolution Mass Spectrometry

通过高分辨率质谱对氮化物半导体金属有机气相外延进行在线 NH3 反应物分析

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Nitta; K. Nagamatsu; R. Miyagoshi; Z. Ye; H. Nagao; S. Miki; H. Y. Honda;H. Amano
通讯作者：
H. Amano

Effect of the misorientation angle of GaN substrate on high-indium-content InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

GaN衬底的取向差角对金属有机气相外延生长高铟含量InGaN的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhibin Liu; Shugo Nitta; Yoann Robin; Maki Kushimoto; Manato Deki; Yoshio Honda; Markus Pristovsek;Hiroshi Amano
通讯作者：
Hiroshi Amano

Direct observation of ammonia decomposition and interaction with trimethylgallium in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor

金属有机气相外延反应器中氨分解及其与三甲基镓相互作用的直接观察

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shugo Nitta; Kentaro Nagamatsu; Zheng Ye; Hirofumi Nagao; Shinichi Miki; Maki Kushimoto; Manato Deki; Atsushi Tanaka; Yoshio Honda; Markus Pristovsek;Hiroshi Amano
通讯作者：
Hiroshi Amano

Morphological study of InGaN layer growth on GaN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

金属有机气相外延在GaN衬底上生长InGaN层的形貌研究

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Zhibin Liu
通讯作者：
Zhibin Liu

Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

气相温度对有机金属气相外延生长InGaN的影响

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2018.12.007
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
1.8
作者：
Liu Zhibin;Nitta Shugo;Usami Shigeyoshi;Robin Yoann;Kushimoto Maki;Deki Manato;Honda Yoshio;Pristovsek Markus;Amano Hiroshi
通讯作者：
Amano Hiroshi

DOI：
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作者：
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Nitta Shugo其他文献

V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate

GaN 衬底上 GaN 外延层中的 V 形位错

DOI：
10.1063/1.5114866
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
1.6
作者：
Tanaka Atsushi;Nagamatsu Kentaro;Usami Shigeyoshi;Kushimoto Maki;Deki Manato;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Bockowski Michal;Amano Hiroshi
通讯作者：
Amano Hiroshi

Thermodynamic analysis of the gas phase reaction of Mg-doped GaN growth by HVPE using MgO

使用 MgO 通过 HVPE 生长掺镁 GaN 的气相反应的热力学分析

DOI：
10.35848/1347-4065/aba0d5
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Kimura Tomoya;Ohnishi Kazuki;Amano Yuki;Fujimoto Naoki;Araidai Masaaki;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;Kangawa Yoshihiro;Shiraishi Kenji
通讯作者：
Shiraishi Kenji

Direct evidence of Mg diffusion through threading mixed dislocations in GaN p?n diodes and its effect on reverse leakage current

Mg 通过 GaN p?n 二极管中的混合位错扩散的直接证据及其对反向漏电流的影响

DOI：
10.1063/1.5097767
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
4
作者：
Usami Shigeyoshi;Mayama Norihito;Toda Kazuya;Tanaka Atsushi;Deki Manato;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi
通讯作者：
Amano Hiroshi

Halide vapor phase epitaxy of p-type Mg-doped GaN utilizing MgO

利用 MgO 卤化物气相外延 p 型掺镁 GaN

DOI：
10.35848/1882-0786/ab9166
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
2.3
作者：
Ohnishi Kazuki;Amano Yuki;Fujimoto Naoki;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi
通讯作者：
Amano Hiroshi

Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures

高温下将镨注入氮化镓的光致发光特性

DOI：
10.1016/j.nimb.2020.06.007
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sato Shin;Deki Manato;Nishimura Tomoaki;Okada Hiroshi;Watanabe Hirotaka;Nitta Shugo;Honda Yoshio;Amano Hiroshi;Ohshima Takeshi
通讯作者：
Ohshima Takeshi