Crystallization of Silicon Thin Films by Microwave Rapid Heating

微波快速加热硅薄膜结晶

基本信息

批准号：
16K06255
负责人：
Hasumi Masahiko
金额：
$ 3.08万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

PN接合におけるバイアス電圧印加による光誘起少数キャリアライフタイムの挙動

PN 结偏压施加的光致少数载流子寿命行为

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
太田康介; 鮫島俊之; 蓮見真彦; 水野智久
通讯作者：
水野智久

Microwave Rapid Heating Used for Diffusing Impurities in Silicon

微波快速加热用于扩散硅中的杂质

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Ota; S. Kimura; M. Hasumi; A. Suzuki; M. Ushijima; T. Sameshima
通讯作者：
T. Sameshima

Crystallization of Silicon Thin Films By Microwave-Induced Rapid Heating

微波诱导快速加热硅薄膜的结晶

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kimura; K. Ota; M. Hasumi; A. Suzuki; M. Ushijima;T. Sameshima
通讯作者：
T. Sameshima

Activation Behavior of Polycrystalline Silicon Films by Phosphorus Ion Implantation at 200oC

200oC 磷离子注入多晶硅薄膜的活化行为

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Sugawara; N. Tanaka; S. Kimura; M. Hasumi; T. Nagao; Y. Inouchi; T. Sameshima
通讯作者：
T. Sameshima

Crystallization of Silicon Thin Films By Microwave-Induced Rapid Heating

微波诱导快速加热硅薄膜的结晶

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
S. Kimura; K. Ota; M. Hasumi; A. Suzuki; M. Ushijima;T. Sameshima
通讯作者：
T. Sameshima

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Hasumi Masahiko其他文献

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