Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application

氧化硅嵌入Ge二维晶体的形成及其器件应用

基本信息

批准号：
20K21142
负责人：
Ohta Akio
金额：
$ 4.16万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-07-30 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（8）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Growth of Ultrathin Ge Crystal Layer by Surface Segregation and Flattening of Ag/Ge Structure

通过Ag/Ge结构的表面偏析和平坦化生长超薄Ge晶体层

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. Ohta; K. Yamada; H. Sugawa; N. Taoka; M. Ikeda; K. Makihara; S. Miyazaki
通讯作者：
S. Miyazaki

Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111)

通过 Ge(111) 上的 Al(111) 薄膜偏析形成单锗烯相

DOI：
10.1088/2053-1583/ac2bef
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
5.5
作者：
Yuhara Junji;Muto Hiroaki;Araidai Masaaki;Kobayashi Masato;Ohta Akio;Miyazaki Seiichi;Takakura Sho;Nakatake Masashi;Lay Guy Le
通讯作者：
Lay Guy Le

First-principles study of two-dimensional materials of group IV elements

IV族元素二维材料的第一性原理研究

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Araidai; M. Itoh; M. Kurosawa; A. Ohta; K. Shiraishi
通讯作者：
K. Shiraishi

Segregation control for ultrathin Ge layer in Al/Ge(111) system

Al/Ge(111)体系中超薄Ge层的偏析控制

DOI：
10.35848/1347-4065/ac19ff
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Ohta Akio;Kobayashi Masato;Taoka Noriyuki;Ikeda Mistuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Control of Ultrathin Segregated Ge Layer Thickness on Al/Ge(111) Structure

Al/Ge(111)结构上超薄Ge偏析层厚度的控制

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. Ohta; M. Kobayashi; N. Taoka; M. Ikeda; K. Makihara;S. Miyazaki
通讯作者：
S. Miyazaki

DOI：
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作者：
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Ohta Akio其他文献

Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal

通过热退火实现 Ag/Ge 结构的表面平坦化和 Ge 晶体偏析

DOI：
10.35848/1347-4065/abdad0
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Ohta Akio;Yamada Kenzo;Sugawa Hibiki;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface

Al/Ge(111)表面超薄偏析Ge晶体的形成

DOI：
10.35848/1347-4065/ab69de
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Kobayashi Masato;Ohta Akio;Kurosawa Masashi;Araidai Masaaki;Taoka Noriyuki;Simizu Tomohiro;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Local Cross-Coupling Activity of Azide-Hexa(ethylene glycol)-Terminated Self-Assembled Monolayers Investigated by Atomic Force Microscopy

原子力显微镜研究叠氮化物六乙二醇封端的自组装单分子层的局部交叉偶联活性

DOI：
10.1021/acs.langmuir.1c02451
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
3.9
作者：
Lebitania Julie Ann;Inada Natsumi;Morimoto Masayuki;You Jiaxun;Shahiduzzaman Md.;Taima Tetsuya;Hirata Kaito;Fukuma Takeshi;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Asakawa Hitoshi
通讯作者：
Asakawa Hitoshi

Chiral Monolayers with Achiral Tetrapod Molecules on Highly Oriented Pyrolytic Graphite

高度取向热解石墨上具有非手性四足分子的手性单分子层

DOI：
10.1021/acs.jpcc.9b11246
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Asakawa Hitoshi;Matsui Sayaka;Trinh Quang Thang;Hirao Hajime;Inokuma Yasuhide;Ogoshi Tomoki;Tanaka Saki;Komatsu Kayo;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Fukuma Takeshi
通讯作者：
Fukuma Takeshi

Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface

Al/Ge(111)表面超薄偏析Ge晶体的形成

DOI：
10.35848/1347-4065/ab69de
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Kobayashi Masato;Ohta Akio;Kurosawa Masashi;Araidai Masaaki;Taoka Noriyuki;Simizu Tomohiro;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi