Study on defect distribution and resistive switching behaviors of Si oxide thin films

氧化硅薄膜缺陷分布及阻变行为研究

基本信息

批准号：
15H05520
负责人：
Ohta Akio
金额：
$ 14.89万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

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专利数量（0）

Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diode as Evaluated from HAXPES Analysis

通过 HAXPES 分析评估 Si-MOS 二极管的电势变化和化学键合特性

DOI：
10.1016/j.mee.2017.05.002
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
2.3
作者：
A. Ohta; H. Murakami; M. Ikeda; K. Makihara; E. Ikenaga;S. Miyazaki
通讯作者：
S. Miyazaki

Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons

从 XPS 芯线光电子能量损失信号评估热生长 SiO2 和 GeO2 的介电功能

DOI：
10.1149/07508.0777ecst
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Yamamoto; A. Ohta; M. Ikeda; K. Makihara;S. Miyazaki
通讯作者：
S. Miyazaki

XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価

利用 XPS 评估 High-k/SiO2 界面的化学结构和偶极子

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
藤村信幸;大田晃生;池田弥央;牧原克典;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

Ti薄膜およびナノドットを埋め込んだSiOx-MIMダイオードの抵抗変化特性

嵌入Ti薄膜和纳米点的SiOx-MIM二极管的电阻变化特性

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
加藤祐介;大田晃生;牧原克典;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

XPSを用いたSiO2およびGeO2の誘電関数・光学定数の評価手法の検討

XPS评价SiO2和GeO2介电函数和光学常数方法的研究

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
山本泰史;大田晃生;池田弥央;牧原克典;宮崎誠一
通讯作者：
宮崎誠一

DOI：
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作者：
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Ohta Akio其他文献

Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal

通过热退火实现 Ag/Ge 结构的表面平坦化和 Ge 晶体偏析

DOI：
10.35848/1347-4065/abdad0
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Ohta Akio;Yamada Kenzo;Sugawa Hibiki;Taoka Noriyuki;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface

Al/Ge(111)表面超薄偏析Ge晶体的形成

DOI：
10.35848/1347-4065/ab69de
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Kobayashi Masato;Ohta Akio;Kurosawa Masashi;Araidai Masaaki;Taoka Noriyuki;Simizu Tomohiro;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Local Cross-Coupling Activity of Azide-Hexa(ethylene glycol)-Terminated Self-Assembled Monolayers Investigated by Atomic Force Microscopy

原子力显微镜研究叠氮化物六乙二醇封端的自组装单分子层的局部交叉偶联活性

DOI：
10.1021/acs.langmuir.1c02451
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
3.9
作者：
Lebitania Julie Ann;Inada Natsumi;Morimoto Masayuki;You Jiaxun;Shahiduzzaman Md.;Taima Tetsuya;Hirata Kaito;Fukuma Takeshi;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Asakawa Hitoshi
通讯作者：
Asakawa Hitoshi

Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface

Al/Ge(111)表面超薄偏析Ge晶体的形成

DOI：
10.35848/1347-4065/ab69de
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Kobayashi Masato;Ohta Akio;Kurosawa Masashi;Araidai Masaaki;Taoka Noriyuki;Simizu Tomohiro;Ikeda Mitsuhisa;Makihara Katsunori;Miyazaki Seiichi
通讯作者：
Miyazaki Seiichi

Chiral Monolayers with Achiral Tetrapod Molecules on Highly Oriented Pyrolytic Graphite

高度取向热解石墨上具有非手性四足分子的手性单分子层

DOI：
10.1021/acs.jpcc.9b11246
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Asakawa Hitoshi;Matsui Sayaka;Trinh Quang Thang;Hirao Hajime;Inokuma Yasuhide;Ogoshi Tomoki;Tanaka Saki;Komatsu Kayo;Ohta Akio;Asakawa Tsuyoshi;Fukuma Takeshi
通讯作者：
Fukuma Takeshi