Study on control of plasma oxidation at an atomic level
原子水平等离子体氧化控制研究
基本信息
- 批准号:16K04994
- 负责人:
- 金额:$ 3.16万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
炭素化水素プラズマによる堆積反応の赤外吸収分光計測
碳酸氢等离子体沉积反应的红外吸收光谱测量
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:篠原 正典;猪原 武士;柳生 義人;大島多美子;川崎 仁晴
- 通讯作者:川崎 仁晴
49.Infrared spectroscopic study on hydrogenation process of Si(100) surface during hydrogen plasma exposure
49.氢等离子体暴露过程中Si(100)表面氢化过程的红外光谱研究
- DOI:10.1109/tps.2016.2595599
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masanori Shinohara; Naoki Maruno; Yoshiki Takami; Susumu Takabayashi; Yoshinobu Matsuda
- 通讯作者:Yoshinobu Matsuda
Consideration of peeling-off of amorphous carbon film, from changes in chemical states of the film during its deposition
从沉积过程中薄膜化学状态的变化考虑非晶碳薄膜的剥离
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Shinohara; T. Ihara; Y. Yagyu; T. Ohshima;H. Kawasaki
- 通讯作者:H. Kawasaki
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